1
ستاد ویژه توسعه فناوری نانو Iran Nanotechnology Initiative Council بستن
  • ستاد ویژه توسعه فناوری نانو

  • مدیریت بانک اطلاعات شاخص های فناوری نانو

  • سایت جشنواره فناوری نانو

  • سیستم جامع آموزش فناوری نانو

  • شبکه آزمایشگاهی فناوری نانو

  • موسسه خدمات فناوری تا بازار

  • کمینه استاندارد سازی فناوری نانو

  • پایگاه اشتغال فناوری نانو

  • کمیته نانو فناوری وزارت بهداشت

  • جشنواره برترین ها

  • مجمع بین المللی اقتصاد نانو

  • اکو نانو

  • پایگاه اطلاع رسانی محصولات فناوری نانو ایران

  • شبکه ایمنی نانو

  • همایش ایمنی در نانو

  • گالری چند رسانه ای نانو

  • تجهیزات فناوری نانو

  • صنعت و بازار

  • باشگاه نانو

ساخت حافظه‌های پلیمری و انعطاف‌پذیر برای ذخیره‌سازی داده‌ها

کلمات کلیدی : ذخیره داده - ویفر - پلیمر رسانا تاریخ خبر : 1386/08/17 تعداد بازدید : 2090

اعتقاد بر این است که آینده صنعت الکترونیک بر پایه بسیاری از مواد آلی- پلیمری که رسانای الکتریسیته هستند، واقع شده‌‌است. از آنجا که این مواد فوق‌العاده سبک وزن، انعطاف‌پذیر و کم‌هزینه هستند می‌توانند به یک طبقه کاملاً جدید از فناوری‌های الکترونیک منجر شوند. اخیراً دانشمندان یک بانک ذخیره اطلاعات پلیمری و انعطاف‌پذیر را برای ذخیره‌سازی داده‌ها توسعه دادند.

اعتقاد بر این است که آینده صنعت الکترونیک بر پایه بسیاری از مواد آلی- پلیمری که رسانای الکتریسیته هستند، واقع شده‌‌است. از آنجا که این مواد فوق‌العاده سبک وزن، انعطاف‌پذیر و کم‌هزینه هستند می‌توانند به یک طبقه کاملاً جدید از فناوری‌های الکترونیک منجر شوند. اخیراً دانشمندان یک بانک ذخیره اطلاعات پلیمری و انعطاف‌پذیر را برای ذخیره‌سازی داده‌ها توسعه دادند.

این ابزار حافظه بسیار کوچک ـ که به دست دانشمندان دانشگاه ملی سنگاپور ساخته شده و جزئیات آن در شماره ماه اوت مجله Organic Electronic توصیف شده‌است ـ ساختاری سه‌لایه دارد: لایه میانی که اطلاعات را ذخیره می‌کند، یک کوپلیمر با ضخامت 50 نانومتر است که به جای یک زنجیره تکرارشونده منفرد از دو زنجیره مولکولی تکرارشونده با ساختار شیمیایی متفاوت تشکیل شده‌است. این لایه بین یک زیرلایه رسانا از جنس پلیمر با ضخامت 40 میکرومتر، به‌عنوان الکترود پایینی و یک لایه نازک از جنس طلا با ضخامت 2/0میکرومتر، به‌عنوان الکترود بالایی قرار گرفته‌است.

انعطاف‌پذیری این ابزار ناشی از زیرلایه پلیمری موجود در آن است. پلیمرهای رسانا و دیگر مواد آلی، اغلب در طول فرایند ساخت ابزارهای حافظه و دیگر ابزارهای الکترونیکی بر روی ویفرهای سیلیکونی سخت رسوب داده می‌شوند؛ اما این تجربه از نظر فیزیکی، ابزارهای حاصل را محدود می‌کند. بر خلاف حافظه‌های سیلیکونی متداول که بایت‌های اطلاعاتی را در سلول‌های بسیار کوچک(به‌صورت0 برای سلول کاملاً باردارشده و 1 برای سلول باردار‌نشده یا برعکس) ذخیره می‌کنند، این ابزار از پاسخ قابل هدایت این پلیمر برای یک ولتاژ اعمال شده استفاده می‌کنند.

در ولتاژ صفر تا چهار ولت، جریان عبوری از لایه پلیمری میانی، بسیار پایین است. در ولتاژ بیش از چهار ولت، جریان ناگهان تا صد برابر افزایش می‌یابد. حالت هدایت پایین برای حالت 0 یا خاموش و حالت هدایت بالا معادل 1 یا روشن در نظر گرفته می‌شود. این حالت‌ها چگونگی ذخیره یک بایت اطلاعات را با این ابزار نشان می‌دهند. زمانی که یک ولتاژ منفی اعمال شده، از آن عبور کند و توان خاموش ‌شود، این ابزار در موقعیت روشن یا 1 باقی می‌ماند؛ بنابراین اطلاعات نوشته‌‌شده می‌توانند تا چندین بار خوانده شوند. این سیستم همچنین پایداری گرمایی خوبی را از خود نشان می‌دهد و فقط در دمای بالاتر از 310 درجه سلسیوس تخریب می‌شود. نسبت جریان روشن- خاموش ابزار(شاخصی که کیفیت یک حافظه را نشان می‌دهد) حدود 200 است که با حافظه‌های رایج قابل مقایسه است. پژوهشگران انتظار دارند که این حافظه با ساختار پلیمری انعطاف‌پذیر به ایجاد نسل جدیدی از ابزارهای حافظه با معماری و اشکال نادر منجر شود.