1
ستاد ویژه توسعه فناوری نانو Iran Nanotechnology Initiative Council بستن
  • ستاد ویژه توسعه فناوری نانو

  • بانک اطلاعات شاخص های فناوری نانو

  • سایت جشنواره فناوری نانو

  • سیستم جامع آموزش فناوری نانو

  • شبکه آزمایشگاهی فناوری نانو

  • موسسه خدمات فناوری تا بازار

  • کمیته استانداردسازی فناوری نانو

  • پایگاه اشتغال فناوری نانو

  • کمیته نانو فناوری وزارت بهداشت

  • جشنواره برترین ها

  • مجمع بین المللی اقتصاد نانو

  • اکو نانو

  • پایگاه اطلاع رسانی محصولات فناوری نانو ایران

  • شبکه ایمنی نانو

  • همایش ایمنی در نانو

  • گالری چند رسانه ای نانو

  • تجهیزات فناوری نانو

  • صنعت و بازار

  • باشگاه نانو

طرح نظری ساخت ترانزیستور كوانتومی تداخلی

کلمات کلیدی : نیمه هادی - محاسبات و مخابرات کوانتومی تاریخ خبر : 1386/08/20 تعداد بازدید : 1752

ترانزیستور اثر کوانتومی تداخلی که با نام QuIET شناخته می‌شود، ابزاری است تک‌مولکولی که به جای خواص شبه‌ ذره‌ای الکترون، با خواص شبه موجی آن کار می‌کند و از آن می‌توان برای کنترل جریان الکتریکی بین دو پایانه کمک گرفت.

ترانزیستور اثر کوانتومی تداخلی که با نام QuIET شناخته می‌شود، ابزاری است تک‌مولکولی که به جای خواص شبه‌ ذره‌ای الکترون، با خواص شبه موجی آن کار می‌کند و از آن می‌توان برای کنترل جریان الکتریکی بین دو پایانه کمک گرفت.

هنگامی که این ترانزیستور در حالت خاموش قرار دارد، تقارن ویژه برخی از مولکول‌ها، موجب تداخل مخرب امواج الکترونی و در نتیجه مانع از برقرراری جریان داخل آن می‌شود. با تغییر ولتاژ پایانه سوم ترانزیستور، می‌توان این تقارن مولکولی را به هم زده، جریان داخل آن را برقرار نمود.

این ترانزیستور علاوه بر اندازه بسیار کوچکی که دارد، نسبت به فناوری‌های نیمه‌رسانای موجود، از دو مزیت عمده برخوردارند که عبارتند از: نداشتن سد انرژی‌ای همانند ترانزیستورهای معمولی و در نتیجه تولید گرمای به مراتب کمترهنگام روشن و خاموش شدن و دیگری نیروی الکتریکی . المان فعال این ترانزیستور یک مولکول است که می‌توان آن را با دقت اتمی و به شیوه سنتز شیمیایی ساخت.

به عقیده دانشمندان آمریکایی، ساخت این ترانزیستور در آزمایشگاه و با شیوه‌های مرسومی؛ مانند اتصالات تفکیکی قابل کنترل به شیوه مکانیکی و میکروسکوپ پروب روبشی، بسیار چالش‌برانگیز و دشوار است، ولی عملی است و تا فراهم شدن امکان تولید انبوه، تعیین زمان دقیق برای آن مشکل است.

هم‌اکنون این دانشمندان تلاش بسیاری برای یافتن شرکای تجاری خطرپذیری دارند که در تولید یک نمونه واقعی از این ترانزیستور در آزمایشگاه از کمک آنان بهره‌مند شوند. گفتنی است گزارشی از این طرح در نشریة Nanotechnology ارائه شده‌است.