1
ستاد ویژه توسعه فناوری نانو Iran Nanotechnology Initiative Council بستن
  • ستاد ویژه توسعه فناوری نانو

  • مدیریت بانک اطلاعات شاخص های فناوری نانو

  • سایت جشنواره فناوری نانو

  • سیستم جامع آموزش فناوری نانو

  • شبکه آزمایشگاهی فناوری نانو

  • موسسه خدمات فناوری تا بازار

  • کمینه استاندارد سازی فناوری نانو

  • پایگاه اشتغال فناوری نانو

  • کمیته نانو فناوری وزارت بهداشت

  • جشنواره برترین ها

  • مجمع بین المللی اقتصاد نانو

  • اکو نانو

  • پایگاه اطلاع رسانی محصولات فناوری نانو ایران

  • شبکه ایمنی نانو

  • همایش ایمنی در نانو

  • گالری چند رسانه ای نانو

  • تجهیزات فناوری نانو

  • صنعت و بازار

  • باشگاه نانو

ساخت افزاره‌های نانوسیمی صنعتی

موضوع : صنعت و بازار کلمات کلیدی : یاقوت - ترانزیستور تاریخ خبر : 1386/09/30 تعداد بازدید : 1457

نانوسیم‌ها به‌دلیل قابلیت بالایی که در ساخت الکترونیک مقیاس اتمی دارند، علاقه فراوانی را به خود جلب کرده‌اند؛ اما قبل از صنعتی شدن افزاره‌های نانوسیمی، به روش‌های قابل اعتماد و کارایی برای تولید انبوه آنها نیاز است. اکنون محققانی از مؤسسة‌ ملی ‌استانداردها و فناوری(NIST) روشی را توسعه داده‌اند که به آنها اجازه رشد انتخابی نانوسیم‌ها را روی ویفرهای یاقوتی در مکان‌ها و جهت‌گیری‌های خاص می‌دهد. این روش که با روش‌های لیتوگرافی مرسوم سازگار است، برای وصل کردن اتصالات و لایه‌بندی کردن سایر عناصر مداری، به ‌اندازه کافی دقیق است.

نانوسیم‌ها به‌دلیل قابلیت بالایی که در ساخت الکترونیک مقیاس اتمی دارند، علاقه فراوانی را به خود جلب کرده‌اند؛ اما قبل از صنعتی شدن افزاره‌های نانوسیمی، به روش‌های قابل اعتماد و کارایی برای تولید انبوه آنها نیاز است. اکنون محققانی از مؤسسة‌ ملی ‌استانداردها و فناوری(NIST) روشی را توسعه داده‌اند که به آنها اجازه رشد انتخابی نانوسیم‌ها را روی ویفرهای یاقوتی در مکان‌ها و جهت‌گیری‌های خاص می‌دهد. این روش که با روش‌های لیتوگرافی مرسوم سازگار است، برای وصل کردن اتصالات و لایه‌بندی کردن سایر عناصر مداری، به ‌اندازه کافی دقیق است.


نانوسیم‌ها برخلاف اسم آنها، چیزی بیش از رابط‌های صرف الکتریکی هستند. محققان از نانوسیم‌ها برای درست کردن ترانزیستورها استفاده کرده‌اند، مثل آنچه در افزاره‌های حافظه و نیز حسگرهای پیش ساخته برای گازها و زیست مولکول‌ها به کار گرفته شده‌است. با این حال کار کردن با اشیایی که چند نانومتر پهنا دارند چالش‌برانگیز است. یک رهیافت معمولی آزمایشگاهی، عبارت است از رشد دادن نانوسیم‌ها روی زیرلایه مناسب و چیدن و مخلوط کردن آنها با سیالی که می‌تواند آنها را به یک سطح آزمایش انتقال دهد و سپس استفاده از روشی که بتواند به آنها جهت‌گیری ترجیحی بدهد. پس از خشک شدن سیال حامل، نانوسیم‌ها به‌صورت پراکنده ‌باقی خواهند ماند. این محققان با استفاده از میکروسکوپ روبشی یا وسایل مشابه، توانستند نانوسیم مناسب و مجزایی را برای مطالعه انتخاب کنند و بدون اینکه اطلاع دقیقی از مکان آن داشته باشند تماس‌های الکتریکی را برقرار نمایند؛ البته این روش برای تولید انبوه مناسب نیست.
این محققان با تکیه بر کارهای قبلی در مورد رشد افقی نانوسیم‌ها بر روی ویفرها، توانستند از روش‌های مرسومِ ساخت نیم رساناها استفاده نمایند تا بتوانند مقادیر کمی از طلا را در مکان‌های دقیقی از ویفر یاقوت رسوب دهند. در یک فرایند دما بالا، رسوب‌های طلا به‌صورت نانوقطراتی خواهند شد که برای بلورهای اکسید روی که یک نیم رساناست، به عنوان مراکز هسته‌زایی عمل خواهند کرد. یک به‌هم‌خوردگی(mismatch) کوچک در ساختار بلوری اکسید روی و یاقوت باعث خواهد شد که این نیم‌رسانا به‌صورت یک نانوسیم باریک در یک جهت خاص روی ویفر رشد کند. به‌دلیل مشخص بودن نقاط شروع و جهت رشد، افزودن تماس‌های الکتریکی و سایر شاخص‌ها به‌‌راحتی با مراحل لیتوگرافی اضافی قابل انجام خواهند بود.
به‌منظور اثبات درستی این روش، محققان NIST با استفاده از این روش افزون بر 600 ترانزیستور نانوسیمی ساختند. در این فرایند، آنها رشد نوعی نانوسیم را در دسته‌های هشت سیمی گزارش کردند، با کنترل اندازه رسوب اولیه طلا، می‌توان تعداد نانوسیم‌ها در هر مکان را تعیین کرد. آنها می‌گویند که این روش، تولید افزاره‌های نانوسیمی در مقیاس صنعتی را ممکن خواهد ساخت.
نتایج این تحقیق در مجله Chem. Mater. منتشر شده است.
 
مقالات آموزشی مرتبط