1
ستاد ویژه توسعه فناوری نانو Iran Nanotechnology Initiative Council بستن
  • ستاد ویژه توسعه فناوری نانو

  • مدیریت بانک اطلاعات شاخص های فناوری نانو

  • سایت جشنواره فناوری نانو

  • سیستم جامع آموزش فناوری نانو

  • شبکه آزمایشگاهی فناوری نانو

  • موسسه خدمات فناوری تا بازار

  • کمینه استاندارد سازی فناوری نانو

  • پایگاه اشتغال فناوری نانو

  • کمیته نانو فناوری وزارت بهداشت

  • جشنواره برترین ها

  • مجمع بین المللی اقتصاد نانو

  • اکو نانو

  • پایگاه اطلاع رسانی محصولات فناوری نانو ایران

  • شبکه ایمنی نانو

  • همایش ایمنی در نانو

  • گالری چند رسانه ای نانو

  • تجهیزات فناوری نانو

  • صنعت و بازار

  • باشگاه نانو

افزایش میدان‌های نوری با نانوساختارهای پلاسمونیک

کلمات کلیدی : پلاسمونیک تاریخ خبر : 1389/03/10 تعداد بازدید : 1276

نانوذرات منفرد فلزات نجیب، می‌تواند باعث افزایش شدید میدان الکترومغناطیس شود. این پدیده می‌تواند به‌عنوان ابزاری مفید در علم و فناوری استفاده شود.

نتایج همایش نهایی پروژه NanoCap

نانوساختارهای پلاسمونیک جدیدی طراحی شده‌ که می‌تواند منجر به افزایش آبشاری میدان‌های الکترومغناطیس شود. پیش از این مشخص شده بود که نانوذرات فلزی به‌صورت منفرد می‌تواند میدان‌های الکترومغناطیس را افزایش دهند.

یک گروه تحقیقاتی در انگلستان نشان داد که با قرار گرفتن نانوذره‌ی بزرگ‌تری در کنار این نانوذره، میدان‌های الکترومغناطیس تشدید می‌شود. پیش از این، برای ایجاد چنین تشدیدی از چیدمان رندمی نانوذرات و یافتن محلی مناسب در میان آنها برای رسیدن به این تشدید استفاده می‌شد؛ اما این نانوساختار جدید، تشدید میدان را به‌صورت مطمئنی انجام می‌دهد. دو نوع طراحی مختلف برای ساخت نانوساختارها استفاده شده‌است. قرار گرفتن این ساختارها در معرض تابش نور، منجر به ایجاد میدان‌هایی 50 برابر قوی‌تر از میدان اعمالی می‌شود، زیرا انرژی الکترومغناطیس، به کمک طراحی این ساختارها، به سمت نانوذره‌ی کوچک‌تر گسیل می‌شود. برای اندازه‌گیری شدت میدان‌های الکترومغناطیس در اطراف این ساختارها از یک لایه رنگ فلورسانس استفاده می‌شود که با «میکروسکوپ هم‌کانون روبشی» می‌توان تابش نور از سطح فلورسانس را مشاهده و اندازه‌گیری کرد.

دانشمندان در حال طراحی و ساخت نانوساختارهای سه‌لایه هستند که می‌تواند میدان‌های الکترومغناطیس را بیش از پیش افزایش دهد. تنها مشکل پیش رو، یافتن راهی مطمئن برای اندازه‌گیری میدان‌های الکترومغناطیس تشدیدیافته در مقیاس‌های 10 تا 20 نانومتر می‌باشد.

مقالات آموزشی مرتبط