1
ستاد ویژه توسعه فناوری نانو Iran Nanotechnology Initiative Council بستن
  • ستاد ویژه توسعه فناوری نانو

  • مدیریت بانک اطلاعات شاخص های فناوری نانو

  • سایت جشنواره فناوری نانو

  • سیستم جامع آموزش فناوری نانو

  • شبکه آزمایشگاهی فناوری نانو

  • موسسه خدمات فناوری تا بازار

  • کمینه استاندارد سازی فناوری نانو

  • پایگاه اشتغال فناوری نانو

  • کمیته نانو فناوری وزارت بهداشت

  • جشنواره برترین ها

  • مجمع بین المللی اقتصاد نانو

  • اکو نانو

  • پایگاه اطلاع رسانی محصولات فناوری نانو ایران

  • شبکه ایمنی نانو

  • همایش ایمنی در نانو

  • گالری چند رسانه ای نانو

  • تجهیزات فناوری نانو

  • صنعت و بازار

  • باشگاه نانو

روش جدیدی برای تولید گرافن

کلمات کلیدی : کاربید سیلیکون - گرافن تاریخ خبر : 1391/02/12 تعداد بازدید : 1249

خواص الکتریکی بی‌نظیر گرافن توجه محققان را برای ساخت مدارهای مجتمع با گرافن جلب کرده است. ولی هنوز موانع بسیاری در مسیر تجاری‌سازی این تحقیقات وجود دارند. اخیراً دانشمندان دانشگاه فلوریدا توانستند بر یکی از این موانع فائق آمده و راهی برای تولید انبوه گرافن پیدا کنند.

نتایج همایش نهایی پروژه NanoCap

خواص الکتریکی بی‌نظیر گرافن توجه محققان را برای ساخت مدارهای مجتمع با گرافن جلب کرده است. ولی هنوز موانع بسیاری در مسیر تجاری‌سازی این تحقیقات وجود دارند. اخیراً دانشمندان دانشگاه فلوریدا توانستند بر یکی از این موانع فائق آمده و راهی برای تولید انبوه گرافن پیدا کنند.

محققان روش امیدبخشی برای ساخت الگوهای گرافن روی سیلیکون کاربید ابداع کرده‌اند. در دماهای بالا ( 1300C° حدود ) اتم‌های سیلیکون ترکیب SiC بخار شده و از سطح آن خارج می‌شوند. در نتیجه اتم‌های کربن بهم پیوسته و به‌صورت گرافن خالص درمی‌آیند. محققان قبلاً از این روش برای ایجاد صفحات بزرگ گرافن استفاده کردند که این صفحات برای ساخت الگوهای نانومقیاس به‌روش حکاکی مورد استفاده قرار می‌گیرند. در طی فرآیند حکاکی، آلودگی شیمیایی یا نواقصی در ساختار گرافن ایجاد و باعث کاهش حرکت الکترونها می‌شود. درمقابل، روش محققان فلوریدا امکان محدود کردن رشد گرافن تا حد الگوهایی با ابعاد کمتر از 20 نانومتر را فراهم می‌کند.

آنها همچنین دریافتند که کاشت یون‌های طلا و سیلیکون روی SiC دمای تشکیل گرافن را در حدود 100 درجه کاهش می‌دهد. پس از کاشت یون‌های مورد نظر، سیلیکون کاربید تا دمای 1200 درجه گرم می‌شود. دراین دما SiC ناخالص می‌تواند برخلاف SiC خالص صفحات گرافنی تشکیل ‌دهد. محققان به کمک این روش توانستند نوارهای نانومتری از گرافن را با موفقیت ایجاد کنند. برای اطلاعات بیشتر از جزئیات روش به مقاله‌ای که توسط این گروه در مجله Applied Physics Letters چاپ شده مراجعه کنید.

مقالات آموزشی مرتبط