1
ستاد ویژه توسعه فناوری نانو Iran Nanotechnology Initiative Council بستن
  • ستاد ویژه توسعه فناوری نانو

  • مدیریت بانک اطلاعات شاخص های فناوری نانو

  • سایت جشنواره فناوری نانو

  • سیستم جامع آموزش فناوری نانو

  • شبکه آزمایشگاهی فناوری نانو

  • موسسه خدمات فناوری تا بازار

  • کمینه استاندارد سازی فناوری نانو

  • پایگاه اشتغال فناوری نانو

  • کمیته نانو فناوری وزارت بهداشت

  • جشنواره برترین ها

  • مجمع بین المللی اقتصاد نانو

  • اکو نانو

  • پایگاه اطلاع رسانی محصولات فناوری نانو ایران

  • شبکه ایمنی نانو

  • همایش ایمنی در نانو

  • گالری چند رسانه ای نانو

  • تجهیزات فناوری نانو

  • صنعت و بازار

  • باشگاه نانو

ارائه‌ی مدلی جهت طراحی و ساخت نانوابزارهای الکترونیکی

موضوع : زیستی - برق و رایانه - محاسبات کلمات کلیدی : نانوابزار - کلید الکتریکی تاریخ خبر : 1394/07/30 تعداد بازدید : 1037

پژوهشگر دانشگاه آزاد اسلامی واحد ساوه با همکاری محققی از دانشگاه آزاد قزوین در طرحی تئوری، مدلی جهت طراحی و ساخت کلید‌های الکترونیکی پیشنهاد داده‌اند. این نتایج می‌تواند راهکار مناسبی در دستیابی به تجهیزات و قطعات در ابعاد نانومتری جهت کاربرد در حوزه‌های برق و رایانه، مخابرات و علوم زیستی باشد.

در ساخت تجهیزات الکترونیکی نظیر ترانزیستورها، کوچک سازی یک اقدام لازم برای افزایش سرعت محاسبات در حجم کوچک است. اما به دلیل مشکلات ساختاری، این کوچک سازی بدون استفاده از نانوساختارها نظیر نانوسیم‌ها، نقاط کوانتومی، نانولوله‌های کربنی و گرافن امکان پذیر نیست. از اینرو مطالعات گسترده‌ای در جریان است تا ویژگی‌های این ساختارها مشخص گردد.
دکتر پیمان نایبی، با اشاره به اینکه یکی از حوزه‌های تحقیقاتی اخیر، طراحی و ساخت قطعات بر پایه‌ی نانوساختارهاست، عنوان کرد: «در این پژوهش، برای اولین بار یک کلید با استفاده از یک پیوندگاه متشکل از نانوسیم سیلیکونی و نانولوله‌ی کربن طراحی شد. نتایج محاسبات و شبیه‌سازی‌ها نشان داده با تغییر شکل پیوندگاه، مثلاً در اثر اعمال فشار، جریان الکتریکی عبوری از آن تغییر می‌کند. از اینرو می‌توان دو حالت روشن و خاموش را ایجاد کرد.»
به گفته‌ی این محقق، بررسی انواع پیوندگاه‌ها در حوزه‌ی نیمه هادی‌ها و الکترونیک از اهمیت ویژه‌ای برخوردارست. در واقع تمامی قطعات نظیر دیودها و ترانیستورها از یک یا چند پیوندگاه تشکیل شده‌اند. در این کار، نوع جدیدی از پیوندگاه معرفی شده است که می‌تواند در ساخت نانو ترانزیستورها و قطعات اپتو الکترونیکی مورد استفاده قرار گیرد.
این نتایج تئوری می‌تواند در طراحی و ساخت قطعاتی نظیر کلید‌ها در علوم الکترونیک و صنایع مرتبط با میکروالکترومکانیک و فناوری مدارات مجتمع (VLSI) به کار رود. با توجه به سرعت بالای این کلید و حساسیت آن به تغییر شکل پیوندگاه به میزان چند نانومتر می‌توان فشارهای بسیار کم، حرکت‌ها و جابجایی‌هایی در حد نانومتر را آشکار نمود که کاربردهای فراوانی در ساخت انواع آشکارسازها و حسگرها دارد.
نایبی معتقد است با توجه ساختار پیوندگاه پیشنهاد شده در این طرح که بر مبنای نانوساختارهاست، می‌توان انتظار داشت که در صورت تکمیل مطالعات و دستیابی به فناوری ساخت، شاهد ترانزیستورهایی با ابعاد کوچک و سرعت بالا بود.
این تحقیقات حاصل تلاش‌های دکتر پیمان نایبی- عضو هیأت علمی دانشگاه آزاد واحد ساوه- و دکتر اسماعیل زمین پیما- عضو هیأت علمی دانشگاه آزاد واحد قزوین- است که نتایج آن در مجله‌ی Computational Materials Science (جلد 110، سال 2015، صفحات 198 تا 203) به چاپ رسیده است.