1
ستاد ویژه توسعه فناوری نانو Iran Nanotechnology Initiative Council بستن
  • ستاد ویژه توسعه فناوری نانو

  • مدیریت بانک اطلاعات شاخص های فناوری نانو

  • سایت جشنواره فناوری نانو

  • سیستم جامع آموزش فناوری نانو

  • شبکه آزمایشگاهی فناوری نانو

  • موسسه خدمات فناوری تا بازار

  • کمینه استاندارد سازی فناوری نانو

  • پایگاه اشتغال فناوری نانو

  • کمیته نانو فناوری وزارت بهداشت

  • جشنواره برترین ها

  • مجمع بین المللی اقتصاد نانو

  • اکو نانو

  • پایگاه اطلاع رسانی محصولات فناوری نانو ایران

  • شبکه ایمنی نانو

  • همایش ایمنی در نانو

  • گالری چند رسانه ای نانو

  • تجهیزات فناوری نانو

  • صنعت و بازار

  • باشگاه نانو

تولید لایه‌نازک مغناطیسی با ساختار کنترل شده

کلمات کلیدی : مغناطیس - حافظه‌ - اسپینترونیک تاریخ خبر : 1395/01/15 تعداد بازدید : 969

همکاری چهار کشور مختلف جهان منجر به ارائه روشی جدید برای تولید مواد مغناطیسی با ساختاری کنترل شده شد. در این روش لایه‌های نانومقیاس روی هم قرار گرفته و با کنترل جهت‌گیری مغناطیسی، ساختار جدیدی بدست آمده است که می‌تواند برای تولید حافظه مورد استفاده قرار گیرد.

محققان دانشگاه توئنته هلند با همکاری پژوهشگرانی از موسسه تحقیقاتی MESA روشی برای تولید مواد مغناطیسی ارائه کردند که در آن جهت‌گیری مواد مغناطیسی قابل کنترل است. وجود لایه‌های نانومقیاس به ضخات 0.4 نانومتر کلید موفقیت این پروژه است. از این مواد در طیف وسیعی از حوزه‌ها از اسپینترونیک گرفته تا حافظه‌های کامپیوترها می‌توان استفاده کرد.
نتایج این پروژه در قالب مقاله‌ای با عنوان ("Controlled lateral anistropy in correlated manganite heterostructures by interface-engineered oxygen octahedral coupling" در نشریه Nature Materials منتشر شده‌است.
در این مقاله پژوهشگران نشان دادند که چگونه می‌توان با استفاده از لایه‌های نانومقیاس با ضخامتی در حد یک اتم ترکیبات جدیدی ایجاد کرد که در آن جهت‌گیری مغناطیسی به شکل کاملا دقیقی قابل کنترل است. چنین ترکیبی برای تولید حافظه بسیار مناسب بوده و قابل استفاده در حوزه اسپینترونیک است.
پژوهشگران این پروژه لایه‌های نازکی از جنس پروسکیت را با ضخامت نانومتری تهیه کرده و روی هم قرار دادند. با استفاده از لایه‌های پروسکیت می‌توان جهت‌گیری مغناطیسی ماده نهایی را به دلخواه دستکاری کرد. در این روش با تغییر مکان لایه پروسکیت و استفاده از این لایه‌ها روی هم، جهت‌گیری مغناطیسی منطقه‌ای محصول قابل کنترل است.
این روش قبلا برای لایه‌های ضخیم انجام شده بود اما برای لایه‌های نانومقیاس به صورت کنترل شده و دقیق انجام نشده بود.
در این پروژه محققان موسسه MESA، دانشگاه آنتورپ در بلژیک، دانشگاه بریتیش کلمبیا در کانادا و دانشگاه صنعتی وین در اتریش نیز همکاری داشتند. دانشگاه توئنته مسئول ایجاد ماده نهایی بوده، محققان دانشگاه آنتورپ مسئولیت تصویربرداری از این ماده در مقیاس اتمی را به عهده داشته و محققان کانادایی، برش‌های مقطعی این ماده مغناطیسی را تهیه کردند در حالی که محققان استرالیایی روی بخش محاسبات و مدل‌سازی کار کردند.
مقالات آموزشی مرتبط