1
ستاد ویژه توسعه فناوری نانو Iran Nanotechnology Initiative Council بستن
  • ستاد ویژه توسعه فناوری نانو

  • مدیریت بانک اطلاعات شاخص های فناوری نانو

  • سایت جشنواره فناوری نانو

  • سیستم جامع آموزش فناوری نانو

  • شبکه آزمایشگاهی فناوری نانو

  • موسسه خدمات فناوری تا بازار

  • کمینه استاندارد سازی فناوری نانو

  • پایگاه اشتغال فناوری نانو

  • کمیته نانو فناوری وزارت بهداشت

  • جشنواره برترین ها

  • مجمع بین المللی اقتصاد نانو

  • اکو نانو

  • پایگاه اطلاع رسانی محصولات فناوری نانو ایران

  • شبکه ایمنی نانو

  • همایش ایمنی در نانو

  • گالری چند رسانه ای نانو

  • تجهیزات فناوری نانو

  • صنعت و بازار

  • باشگاه نانو

عرضه دستگاه لایه‌نشانی، مناسب برای تولید تراشه‌های حافظه

موضوع : صنعت و بازار کلمات کلیدی : لایه‌ نشانی اتمی (ALD) - حافظه‌ - تراشه Chip تاریخ خبر : 1395/06/28 تعداد بازدید : 1064

یک شرکت تولیدکننده تجهزات، دستگاه لایه‌نشانی اتمی به بازار عرضه کرده که می‌توان با استفاده از آن نیاز بخش تولید تراشه‌های حافظه را تامین کرد.

شرکت لام ریسرچ (Lam Research) یکی از تولیدکنندگان تجهیزات نیمه‌هادی اعلام کرد که اخیرا یک دستگاه لایه‌نشانی اتمی (ALD) برای ایجاد لایه‌های نازک از جنس تنگستن حاوی فلئور تولید کرده است. این دستگاه نسل جدیدی از فناوری ALTUS است.
این دستگاه لایه‌نشانی، اولین ابزار ALD بوده که می‌تواند لایه‌هایی از تنگستن با مقدار فلئور کم تولید کند، چیزی که برای تولیدکنندگان حافظه و تراشه بسیار ضروری است. این دستگاه به شرکت‌های فعال در حوزه نیمه‌هادی کمک می‌کند تا ادوات 3D Nano و DRAM تولید کنند.
این دستگاه جدید به دلیل قابلیت‌هایی که دارد می‌تواند موقعیت مناسبی در صنعت تولید حافظه بدست آورد و تولیدکنندگان و بخش تحقیق و توسعه شرکت‌ها از آن استفاده کنند.
تیم آرچر از محققان این شرکت می‌گوید: « تقاضای مشتریان برای ادوات قدرتمندتر در حال افزایش است. آنها به دنبال افزایش ظرفیت و عملکرد بهتر هستند. اچ کردن و لایه‌نشانی از عناصر کلیدی این فرآیند محسوب می‌شود که برای تولیدکنندگان حافظه و تراشه حیاتی هستند. با این ابزار جدید، مشتریان ما می‌توانند نسل جدیدی از محصولات را تولید کنند. در 12 ماه گذشته، فناوری 3D Nano به سرعت رشد کرده است. نرخ فروش ما دو برابر شده‌است و اغلب مشتریان ما از بازار 3D Nano هستند.»
با افزایش تعداد لایه‌های سلول حافظه در 3D Nano، دو مسئله بوجود می‌آید. اول این که نفوذ فلئور از فیلم تنگستن به لایه دی‌الکتریک اتفاق می‌افتد که موجب نقص فیزیکی می‌شود. دوم این که استرس زیادی روی دستگاه ایجاد می‌شود که این موضوع نیز موجب نقص عملکردی می‌شود.
این فناوری جدید موجب کاهش مقدار فلئور و استرس در ساختار حافظه می‌شود. سیشا واراداراجان از مدیران شرکت دپوزیشن پروداکت می‌گوید: « با کاهش ابعاد تراشه‌های حافظه به سوی نودهای کوچکتر، نیازهای جدید ایجاد می‌شود که برای رفع آنها باید از فناوری‌های جدید استفاده کرد و دستگاه ALD می‌تواند با کاهش فلئور و مقاومت در ساختار، به تولید محصولاتی با کارایی بالاتر کمک کند.»
مقالات آموزشی مرتبط