1
ستاد ویژه توسعه فناوری نانو Iran Nanotechnology Initiative Council بستن
  • ستاد ویژه توسعه فناوری نانو

  • مدیریت بانک اطلاعات شاخص های فناوری نانو

  • سایت جشنواره فناوری نانو

  • سیستم جامع آموزش فناوری نانو

  • شبکه آزمایشگاهی فناوری نانو

  • موسسه خدمات فناوری تا بازار

  • کمینه استاندارد سازی فناوری نانو

  • پایگاه اشتغال فناوری نانو

  • کمیته نانو فناوری وزارت بهداشت

  • جشنواره برترین ها

  • مجمع بین المللی اقتصاد نانو

  • اکو نانو

  • پایگاه اطلاع رسانی محصولات فناوری نانو ایران

  • شبکه ایمنی نانو

  • همایش ایمنی در نانو

  • گالری چند رسانه ای نانو

  • تجهیزات فناوری نانو

  • صنعت و بازار

  • باشگاه نانو

ساخت نانوLED روی بستر سیلیکونی

کلمات کلیدی : LED - تراشه Chip - نانوستون‌ تاریخ خبر : 1395/11/27 تعداد بازدید : 500

محققان هلندی با ارائه طراحی جدیدی موفق به ساخت نانوLED روی بستر سیلیکونی شدند که در عین حال با راهنماهای موج نیز تلفیق شده است. در این پروژه از ساختارهای نانوستونی استفاده شده است.

فوتونیک یکی از موضوعات بسیار داغ در حوزه تراشه‌ و ابزار‌های روی تراشه است، به ویژه زمانی که ترافیک میان واحدهای سازنده حافظه و پردازشگر افزایش یابد. تا کنون میکروراهنماهای موج، تلفیق‌کننده‌ نور و شناساگرهای نوری با موفقیت با هم ترکیب شده‌اند، اما طراحی منابع نوری میکرومقیاس با چالش روبرو بوده است.
در مقاله‌ای با عنوان « Waveguide-coupled nanopillar metal-cavity light-emitting diodes on silicon » که در نشریه Nature Communications منتشر شده است، محققان دانشگاه آیندهوون نشان دادند که می‌توان LEDهای نانومقیاس لایه‌ای روی بستر سیلیکونی تولید کرد. این نانوLED روی سطح سیلیکون با راهنمای موج غشاء InP جفت شده است.
این گروه تحقیقاتی نشان دادند که نانوLED ساخته شده با ساختار نانوستونی، کارایی بسیار بالاتری نسبت به همتایان خود دارد. در دمای پایین، این گروه توانی بالاتر از 50 نانووات، مربوط به 400 فوتون در هر بیت در 1 گیگابیت/ثانیه، گزارش کردند. این دستگاه در طول موج‌های مخابراتی (55/1 میکرومتر) با موفقیت با استفاده از یک ژنراتور الگوی پالسی در فرکانس‌های تا 5 گیگاهرتز، تلفیق شد.

filereader.php?p1=main_c81e728d9d4c2f636
شکل (1). طرح شماتیک نانوستون‌های LED روی بستر سیلیکونی. لایه‌ها از بالا به پایین به ترتیب عبارتند از: n-InGaAs(100 nm)/n-InP(350 nm)/InGaAs(350 nm)/p-InP(600 nm)/p-nGaAsP(200 nm)/InP(250 nm)/SiO 2/BCB/SiO2/Si

محققان این پروژه می‌گویند: «با این فناوری جدید می‌توان هدر رفت را در فواصل کم کاهش داد و با توسعه بیشتر این فناوری امکان کوچکتر کردن منبع نوری وجود خواهد داشت.»
این گروه تحقیقاتی یک روش غیرفعال‌سازی سطحی ارائه کردند که می‌تواند کارایی نانوLEDها را 100 برابر افزایش دهد، در حالی که مصرف انرژی در آنها کاهش می‌یابد؛ این کار با بهبود تماس‌های اهمی صورت می‌گیرد.
مقالات آموزشی مرتبط