1
ستاد ویژه توسعه فناوری نانو Iran Nanotechnology Initiative Council بستن
  • ستاد ویژه توسعه فناوری نانو

  • مدیریت بانک اطلاعات شاخص های فناوری نانو

  • سایت جشنواره فناوری نانو

  • سیستم جامع آموزش فناوری نانو

  • شبکه آزمایشگاهی فناوری نانو

  • موسسه خدمات فناوری تا بازار

  • کمینه استاندارد سازی فناوری نانو

  • پایگاه اشتغال فناوری نانو

  • کمیته نانو فناوری وزارت بهداشت

  • جشنواره برترین ها

  • مجمع بین المللی اقتصاد نانو

  • اکو نانو

  • پایگاه اطلاع رسانی محصولات فناوری نانو ایران

  • شبکه ایمنی نانو

  • همایش ایمنی در نانو

  • گالری چند رسانه ای نانو

  • تجهیزات فناوری نانو

  • صنعت و بازار

  • باشگاه نانو

سامسونگ نقشه راه نانوریخته‌گری خود را عرضه کرد

موضوع : صنعت و بازار - سیاست‌گذاری و ارزیابی کلمات کلیدی : ریخته‌گری - تراشه Chip - ترانزیستور تاریخ خبر : 1396/03/17 تعداد بازدید : 352

شرکت سامسونگ از نقشه ‌راه توسعه فناوری ریخته‌گری خود تا سال 2020 رونمایی کرد. این شرکت قرار است فرآیند 8 نانومتری خود را در سال جاری میلادی تجاری‌سازی کرده و ریخته‌گری 4 نانومتری را نیز در سال 2020 تجاری‌سازی کند.

شرکت سامسونگ از نقشه راه خود برای سامانه ریخته‌گری 4 نانومتری در سال 2020 رونمایی کرد. براساس اطلاعات منتشر شده درباره این برنامه، سامسونگ قصد دارد تا فرآیند 8 نانومتری خود را در اواخر سال جاری میلادی تجاری‌سازی کند. فرآیند 7 نانومتری سال آینده انجام خواهد شد و فرآیند 6 نانومتری در سال 2019 آماده بهره‌برداری خواهد شد.
از دیگر برنامه‌های سامسونگ می‌توان به قرار دادن حافظه MRAM در FD_SOI 18 نانومتری اشاره کرد که با توسعه این فناوری، تراشه‌هایی با قیمت پایین به بازار عرضه می‌شود. این شرکت قصد دارد تا پلتفورمی را کامل کند که در آن تابع فرکانس رادیویی و MRAM ترکیب می‌شوند. این فناوری در سال 2020 تجاری‌سازی می‌شود.
این نقشه راه در فروم ریخته‌گری سامسونگ اعلام عمومی شد و دپارتمان کسب و کار ریخته‌گری نیز در شرکت سامسونگ راه‌اندازی می‌شود.
سامسونگ علاوه براین، فناوری LPP 8 نانومتری (Low Power Plus) خود را که در سال جاری تجاری‌سازی می‌شود، معرفی کرد. این فناوری آخرین محصول در مقیاس میکرو خواهد بود. محصول دیگری که سامسونگ معرفی خواهد کرد، فناوری لیتوگرافی نانومقیاس است که قرار است در سال 2018 تجاری‌سازی شود.
سامسونگ پیش‌بینی می‌کند که این LPP 6 نانومتری در سال 2019 معرفی شود که مبتنی بر فرآیند 7 نانومتری بوده و درجه ترکیب و توان کم آن افزایش یافته است. LLP 5 نانومتری قرار است همراه با فناوری LLP 6 نانومتری در سال 2019 تجاری‌سازی شود.
کیم کینام، مدیر شرکت سامسونگ، می‌گوید که ساختار ترانزیستور GAAFET یک گام پیشرفته‌تر از ترانزیستور FinFET است و برای اولین بار برای LLP 4 نانومتری مورد استفاده قرار می‌گیرد. این فناوری قرار است در سال 2020 تجاری‌سازی شود.
یون چانگ شیک، قائم مقام شرکت سامسونگ، می‌گوید که نقش نیمه‌هادی در نسل جدید ادوات الکترونیکی متصل به هم در حال پررنگ‌تر شدن است. وی می‌افزاید: «به عنوان یک کسب و کار ریخته‌گری که دارای نقشه راه برای فرآیندهای فناوری‌بالا است، ما در حال بهینه‌سازی روش‌های و فرآیندهای خود با استفاده از همکاری مشترک با مشتریان‌مان هستیم.»
مقالات آموزشی مرتبط