ساخت اولین ترانزیستور اثر زمینه نانومیله‌ای توسط محققان چینی


New Page 1

اخیراً محققان موسسه میکروالکترونیک CAS در آکادمی علوم
چین (IME)، با استفاده از نانومیله‌های اکسید روی، ترانزیستور اثر زمینه‌ای
تولید نموده‌اند که اولین نوع از این ابزارهای نانو در چین محسوب می‌شود.
اکسید روی یک ماده نیمه‌رسانا با شکاف باندی عریض و یک ماده چندکارکردی مهم
است. نانوساختارهای اکسید روی همانند نانوسیم‌ها، نانومیله‌ها،
نانوروبان‌ها، و نانوحلقه‌ها، به دلیل ویژگی‌های منحصر به فرد اُپتیکی،
نیمه‌رسانایی و پیزوالکتریکی، توجه بسیار زیادی را در جهان به خود جلب
نموده‌اند. در حال حاضر محققان چینی عمده توجه خود را به تحقیق در زمینه
رشد مواد و توسعه دیودها اختصاص داده‌اند.
یک گروه پژوهشی که رهبری آن را پروفسور ژانگ هیانگ بر عهده دارد، یک روش
پایین به بالای منحصربه‌فرد برای طراحی و توسعه ابزارهای فناوری نانو ابداع
نموده‌اند.
این محققان با استفاده از روش لیتوگرافی نوری تماسی معمولی و با به‌کارگیری
نانومیله‌های اکسید روی به عنوان ماده کانال، یک ترانزیستور اثر زمینه
نیمه‌رسانای اکسید فلزی تولید نمودند. آنها این کار را با ترکیب نمودن
اکسید گیت و گیت فلزی پشتی انجام داده و به نتایج رضایت‌بخشی دست یافتند.
پروفسور ژانگ و همکارانش در نظر دارند این فناوری را توسعه داده و
نانوسیم‌هایی با قطر کوچک‌تر تولید نمایند؛ آنها می‌خواهند بر مشکلات
استفاده از این روش در کاربردهای واقعی غلبه نموده و عملکرد این ابزارها را
بهبود بخشند.