محققان آمریکایی و ایتالیایی برای اولین بار محدودیت‌های آنتی‌فرومغناطیسم را در مواد نانوساختار بررسی کردند.
بررسی محدودیت آنتی‌فرومغناطیسم در مواد نانوساختار
محققان گروه مواد و ابزارهای الکترونیکی و مغناطیسی (آزمایشگاه ملی آرگون در آمریکا)
و Politecnico di Milano در ایتالیا برای اولین بار محدودیت‌های آنتی‌فرومغناطیسم
را در مواد نانوساختار بررسی کردند. آنها این کار را با اندازه‌گیری دمای مورد نیاز
برای پشتیبانی از نظم آنتی‌فرومغناطیک در تک‌لایه‌های اتمی منگنز روی تنگستن هنگام
کاهش ابعاد این ساختارها انجام دادند.
با وجودی که این مرزها در مواد فرومغناطیس
به خوبی شناخته شده هستند، درک رفتار مواد آنتی‌فرومغناطیس همواره چالش‌برانگیز
بوده است. در مواد آنتی‌فرومغناطیس ممان‌های مغناطیسی مجاور به جای تقویت،
یکدیگر را حذف می‌کنند.
در این مطالعه از ویژگی‌های منحصر به فرد مارپیچ‌های اسپین منگنز روی
تنگستن برای ایجاد ارتباط میان روش‌های میکروسکوپی تونل‌زنی روبشی حساس به
اسپین در مقیاس اتمی و ویژگی‌های الکترونیکی استفاده شده است. این مطالعه
نشان می‌دهد که دمای نظم‌دهی ساختار آنتی‌فرومغناطیک هم به اندازه و هم به
جهت‌گیری آن نسبت به شبکه بلور بستگی دارد.
مطالعات اینچنینی راه را برای تولید نسل بعدی حافظه‌های با دانسیته بالا و
ابزارهای حسگری جدید هموار می‌کند.
