محققان آمریکایی دریافتند که با ایجاد نقص ساختاری می‌توان نانوسیم‌های رسانا را تبدیل به عایق کرد. دلیل این امر محدودیت حرکت الکترون‌ها در نانوسیم‌ها بوده که در صورت وجود نقص مسیر حرکت آنها مسدود می‌شود.
تغییر رسانایی نانوسیم‌ها با ایجاد نقص ساختاری
|
محققان آمریکایی دریافتند که با ایجاد نقص ساختاری می‌توان نانوسیم‌های رسانا را تبدیل به عایق کرد. دلیل این امر محدودیت حرکت الکترون‌ها در نانوسیم‌ها بوده که در صورت وجود نقص مسیر حرکت آنها مسدود می‌شود. اتم‌های منفرد می‌توانند خواص الکترونیکی نانوسیم‌های کوانتومی را بهبود |
|
|
آنینگ لی و همکارانش، از آزمایشگاه ملی اوک ریج، از میکروسکوپ تونل زنی روبشی چند پروبی برای آنالیز نانوسیم‌های ساخته شده از جنس سیلیساید گادولونیوم استفاده کردند. این سیم یک بعدی یکی از قطعات بنیادین در طراحی الکترونیک کوانتومی است. لی که از محققان مرکز علم مواد نانوفاز در آزمایشگاه ملی اوک ریج است می‌گوید یکی از مزایای نانوسیم‌های GdSi2 آن است که این نانوسیم‌ها با فناوری سیلیکون رایج سازگار است بنابراین به‌راحتی می‌توان آن را در ادوات الکترونیکی امروزی به‌کار گرفت. این تحقیقات که نتایج آن در قالب مقاله‌ای تحت عنوان Correlating Electronic هرچند نانوسیم‌ها دچار تغییر رفتار از رسانا به عایق می‌شوند اما اگر چند نانوسیم محققان این پروژه از محاسبات نظری برای تایید و توضیح یافته‌های آزمایشگاهی خود |
