شرکت الشیمر (Alchimer) و موسسه IMEC توافق‌نامه‌ای برای انجام پروژه‌ای مشترک به امضاء رسانده‌اند. این دو گروه قصد دارند عملکرد فناوری موسوم به eG™ را روی ویفرهای سیلیکون ۳۰۰ نانومتری مورد ارزیابی قرار دهند.
همکاری مشترک برای ارزیابی فناوری جوانه‌زنی نانومقیاس
شرکت الشیمر (Alchimer) یکی از پیشروان تولید فناوری‌های رسوب تر است که در بسیاری از حوزه‌ها نظیر پیل‌خورشیدی کاربرد دارد. این شرکت اخیرا پروژه مشترکی را با موسسه IMEC آغاز کرده است که بر اساس آن این دو مرکز روی استفاده از مس در فناوری‌های اتصالات نانومقیاس همکاری می‌کنند. در این پروژه مشترک تمرکز روی محصولی از خانواده Alchimer’s Electrografting (eG™) است که با استفاده از آن می‌توان روی سطوح جوانه‌هایی به ابعاد ۷ نانومتر ایجاد کرد در این روش نیازی به لایه نشانی ویژه‌ای نیست.
با کوچک‌تر شدن ابعاد CMOS، بازار نیازمند به ادوات مسی با ابعاد کوچک در حد زیر۱۶ نانومتر است به طوری که روی آن هیچ لایه سدی وجود نداشته باشد یا لایه موجود روی آن بسیار نازک باشد. برای ایجاد این ساختار باید از فرآیندی استفاده کرد که منجر به نقص یا حفره روی ساختار نشود، این روش باید تکرارپذیر، قابل اعتماد و همچنین با بازده بالا باشد.
روش‌های لایه نشانی فیزیکی و شیمیایی از فاز بخار، (PVD) و (CVD)، نمی‌توانند برای این کار مناسب باشند. فناوری‌های لایه‌نشانی مرطوب شرکت الشیمر مبتنی بر یک فرآیند مولکولی بوده که محدودیت‌های فرآیند لایه نشانی خشک را ندارد.
برونو مورل، از شرکت الشیمر، می‌گوید ما معتقدیم که با حرکت صنعت به سوی کوچک‌سازی، فناوری‌ها و هزینه‌های تولید نیز باید همسو با این روند حرکت کند. عملکرد فناوری eG در حوزه زراندود کردن در مقیاس ۲۰ نانومتر بسیار جالب است به طوری که هم هزینه تولید کم بوده و محصول با کیفیت بالا ایجاد می‌شود. همکاری با IMEC منابع تازه‌ای برای ما ایجاد می‌کند تا اثربخشی فناوری خود را روی ویفرهای ۳۰۰ میلیمتری به اثبات برسانیم.
هدف از این پروژه مشترک بررسی عملکرد الکتریکی و داده‌های بدست آمده در فرآیند eG مرطوب در فناوری‌های زیر ۲۲ نانومتری است. این گروه قصد دارند تا شرایط بهینه کار را برای ویفرهای ۳۰۰ میلیمتری بدست آورند.
eG این امکان را فراهم می‌کند تا روی یک سطح به صورت مستقیم مس در ابعاد نانومتری ایجاد کرد بدون این که نیاز به لایه نشانی خاصی باشد. همچنین می‌توان روی ادوات دارای نود ۷ نانومتری از این سیستم استفاده کرد بدون این که نقص یا حفره‌ای روی محصول ایجاد شود.
