روشی برای ایجاد مدارهای الکترونیکی به ضخامت چند نانومتر

محققان معتقدند بعد از اصلاحاتی که روی فرآیند نانوچاپ برای استفاده در دنیای واقعی انجام گرفته، می‌توان ورق‌هایی از جنس اکسیدهای نیمه‌هادی به ضخامت چند اتم را برای استفاده در صنعت الکترونیک ایجاد کرد.
کورش کلانترزاده و همکارانش از مؤسسه علوم و فناوری سلطنتی ملبورن روشی ارائه کردند که در آن می‌توان از فلزات سیال برای ایجاد مدارهای الکترونیکی لایه نازک استفاده کرد. 
هرچند روش‌های مختلفی برای نانوچاپ در محیط آزمایشگاهی مورد بررسی قرار گرفته است، اما هر یک از آنها نیازمند ملزوماتی نظیر دمای بالا است که در نهایت منجر به آسیب‌های ساختاری شده و نمی‌توان از آنها برای تولید انبوه استفاده کرد.
کلید موفقیت این روش در استفاده از گالیم و ایندیم است. هر دوی این مواد به ترتیب نقطه ذوب 30- و 156 درجه سانتیگراد دارند؛ بنابراین برای سیال کردن آنها نیاز به ابزار ویژه‌ای نیست. زمانی که این مواد ذوب شدند، یک لایه نازک اکسیدی روی سطح تشکیل می‌دهند که محققان به سادگی می‌توانند آنها را روی زیرلایه مورد نظر منتقل کرده و ویفر الکترونیکی ایجاد کنند.
این ویفر تنها 1.5 نانومتر ضخامت دارد که 66666 برابر نازکتر از یک ورق کاغذ است. این روش را می‌توان برای تولید انبوه به کار گرفت، به طوری که با روش‌های تولید تراشه کامپیوتر قابل انطباق است.
کلانترزاده معتقد است که این اختراع می‌تواند توانمندی‌های تولید ادوات الکترونیکی را تغییر دهد. توسعه تلفن‌های همراه و کامپیوترها به نقطه‌ای رسیده که در واقع نقطه محدودیت پیچیدگی ساختاری است و از این پس به سختی می‌توان این ادوات را توسعه داد. به همین دلیل این روش چاپ دو بعدی اهمیت زیادی دارد، چرا که می‌توان با استفاده از آن تراشه‌های الکترونیکی لایه‌نازک روی سطح ایجاد کرد که با این کار هزینه تولید کاهش می‌یابد. این روش می‌تواند انقلاب بعدی در صنعت الکترونیک باشد.
نتایج این پژوه در نشریه nature communicatioms به چاپ رسیده است.