افزایش نرخ رشد جوانه‌ی گندم در حضور نانولوله‌های کربنی تک‌جداره

اثر وجود نانومواد در محیط کشت و کشاورزی همیشه برای محققان سؤال ‌برانگیز بوده‌است. پژوهشگران با انجام آزمایش‌هایی نشان دادند که نانولوله‌های کربنی تک‌جداره‌ی خالص ‌شده می‌تواند نرخ رشد جوانه‌های گندم را افزایش دهد.

محققان دانشگاه رایس نشان دادند که افزودن نانولوله‌های کربنی خالص به جوانه‌ی گندم موجب رشد سریع آن می‌شود. اگر نانولوله‌ها دارای ناخالصی باشند، گیاه دچار آسیب می‌شود.
آندرو بارون و همکارانش آزمایشی روی جوانه‌های گندم که با روش کشت بدون خاک (هیدروپونیک) رشد کرده‌اند،انجام دادند. آن‌ها که به دنبال تأثیر نانولوله‌کربنی روی گیاه بودند، در کمال تعجب دریافتند که افزودن نانولوله‌های کربنی به محیط رشد جوانه‌ی گندم موجب تسریع رشد و افزایش ابعاد گیاه می‌شود.
این گروه نتایج را به طبیعت آبگریز نانولوله‌ها نسبت دادند که به گیاه کمک می‌کند تا سریع‌تر آب جذب کند. در این پروژه پژوهشگران از نانولوله‌های کربنی تک‌جداره‌ی خالص شده استفاده کردند.
آن‌ها برای بررسی تأثیر نانولوله‌های کربنی، از نانولوله‌های تک‌جداره، چند جداره، تک‌جداره‌ی خالص شده و نانوذرات اکسید آهن روی جوانه‌های گندم استفاده کردند. دلیل استفاده از نانوذرات آهن این بود که معمولاً این نانوذرات به‌صورت ناخالصی در کنار نانولوله‌های کربنی دیده می‌شوند. این آزمایش‌ها هم در محیط آب و هم تتراهیدروفوران (THF) که یک حلال صنعتی است، انجام شد. برای داشتن نمونه‌های کنترل، به برخی از دانه‌ها آب یا THF داده شد.
بعد از ۸ روز، جوانه‌های گندمی که در محیط آبی و در حضور نانولوله‌های کربنی تک‌جداره خالص رشد کرده‌ بودند، نرخ رشد بهتری داشتند. آن‌ها ۱۳ درصد نسبت به جوانه‌های موجود در آب رشد بیشتری داشتند. نانولوله‌های کربنی چندجداره و ذرات نقش بسیار کمی در رشد گیاه داشتند.
با این حال نانولوله‌های کربنی تک‌جداره‌ی خالص که در محلول THF قرار داشتند، با تأخیر ۴۵ درصدی در رشد، نسبت به همتایان خود که در آب و نانولوله‌کربنی تک‌جداره بودند، روبرو شدند.
اگر نانولوله‌های کربنی تک‌جداره با حلال‌های آلی، مواد شیمیایی صنعتی یا آفت‌کش‌ها همراه شوند، موجب افزایش تجمع این آلاینده‌ها در گیاه می‌شوند. گویی که این نانولوله‌ها نقش حامل را برای مواد شیمیایی خطرناک ایفا می‌کنند.
نتایج این پروژه در نشریه Environmental Science به‌چاپ رسیده است.