اطلاعات حافظه‌های فلش با نور کم قابل پاک شدن است

اطلاعات موجود روی حافظه‌های فلشی که از ترانزیستورهای اثر میدان آلی (OFETs) ساخته می‌شوند را می‌توان به سرعت پاک کرد که این کار با استفاده از نور انجام می‌شود. محققان دانشگاه هانیانگ در سئول با همکاری محققانی از دانشگاه پوهانگ روشی ارائه کردند که در آن از نقاط کوانتومی سلنید کادمیم برای بهبود عملکرد این ادوات استفاده شده‌است.

یونگ جین‌جونگ و جایونگ جانگ از محققان این پروژه می‌گویند: «حافظه‌های قابل پاک شدن با نور که با OFET ساخته شده‌اند اخیرا بسیار مورد توجه قرار گرفته است. فرآیند پاک کردن اطلاعات در این ادوات معمولا با استفاده از نور کنترل می‌شود که این کار به مدد انتقال بار تحریک شده با نور صورت می‌گیرد.»

جانگ و همکارانش به بررسی نقاط کوانتومی پرداختند، نقاطی که روی سطح آنها با استفاده از مولکول‌های آلی مختلف پوشش داده شده‌است. آنها به بررسی این موضوع پرداختند که چگونه می‌توان سطح نقاط را اصلاح کرد و روی عملکرد حافظه تاثیر گذاشت. نتایج نشان داد که لیگندهای کوچک که روی سطح اکتادسیل‌فسفونیک (ODPA) قرار دارد به همراه مولکول‌های فلورینات می‌توانند نفوذ حفره‌‌ها را میان نقاط کوانتومی و کانال‌های رسانش در این دستگاه بهبود دهند.

با این کار اطلاعات حافظه‌های فلش را می‌توانند با شدت نور پایین پاک کرد. این دروازه‌ها می‌توانند کارهای مختلفی انجام دهند؛ برای مثال، با جذب نور و حرکت بارها از لایه نیمه‌هادی در ترانزیستور، حاملین بار ایجاد می‌شوند.

استفاده از نقاط کوانتومی در دروازه‌های شناور بهتر از C60 بوده که معمولا استفاده می‌شود. دلیل این امر، خواص نوری و الکترونیکی این نقاط بوده که با مهندسی قابل اصلاح است و می‌توان لیگندهای سطح را تغییر داد.

محققان معتقداند که حافظه‌های OFET آنها که قابلیت پاک ‌شدن با نور را دارند، می‌تواند در آیند نزدیک تجاری‌سازی شود. به زعم آنها این اولین باری است که سطح نقاط کوانتومی برای استفاده در این نوع حافظه‌ها مهندسی می‌شود.

نتایج این پروژه در نشریه ACS Nano به چاپ رسیده است.