پژوهشگران چینی راهبرد جدیدی برای سنتز نانوورق‌های Mxene چند لایه بدون نقص با خصوصیات فیزیکوشیمیایی پیشرفته ارائه کرده‌اند.
روشی برای سنتز نانوورق‌های Mxene چند لایه بدون نقص ارائه شد
محققان مؤسسه علوم فیزیکی هیفی از آکادمی علوم چین راهبرد بهینه‌ای برای سنتز M4C3Tx (M = V, Nb, Ta) با تعداد لایه کم و بدون نقص ارائه داده‌اند. نتایج کار این گروه در نشریه Advanced Science منتشر شده است.
مواد Mxene به دلیل خاصیت فیزیکی و شیمیایی عالی، پتانسیل عظیمی برای کاربردهایی مانند ذخیره انرژی، تبدیل انرژی و محافظت از الکترومغناطیسی دارند.
با این حال، به دست آوردن یک پیش ساز فاز خالص MAX، اچ کامل برای چند لایه MxeneTX و الزامات دقیق برای کار، تولید Mxene M4C3Tx را دشوار کرده است. در این مطالعه دانشمندان نقشه راه سنتز نانوورق‌های چند لایه M4C3Tx را ارائه می‌دهند.
بررسی دقیق ساختارهای بدون نقص آنها، فاصله قابل توجه بین لایه‌ای (از ۱٫۷۰۲ تا ۱٫۹۵۵ نانومتر)، گروه‌های عاملی متنوع (OH ، -F ، -O) و حالت‌های ظرفیت مختلف (M5+، M4+، M3+، M2+، M0) را تأیید می‌کند.
علاوه بر این، آنها یک فیلم ایستاده آزاد از جنس M4C3Tx ساختند که خصوصیات فیزیکوشیمیایی قابل توجهی مانند رسانایی بالا، پایداری بالا و آبدوستی را دارا بود.
هوانگ یانان از محققان این پروژه گفت: «کار ما دستورالعمل‌های مفصلی را برای سنتز سایر نانوورق‌های Mxene چند لایه بدون نقص را ارائه می‌دهد.»
