رشد نانو لوله‌های کربنی با روش CVD در دمای پایین

محققان دانشگاه کمبریج موفق شدند نانولوله‌های کربنی را در دمایی کمتر از دمایی که برای فناوری یکپارچه سازی کامل نیمه هادی‌های اکسید فلزی مکمل (CMOS) فعلی لازم است (Cْ۳۵۰) رشد دهند.