کنترل الکترونیکی اصطکاک نیمه‌هادی‌ها

محققان علم مواد LBNL (آزمایشگاه ملی لورنس برکلی) با همکاری دانشگاه برکلی کالیفرنیا و دانشگاه ایالتی Lowa نشان داده‌اند که می‌توان اصطکاک لغزشی نیمه‌‌رسانای Si نوع p و n را با تغییر میزان ناخالصی و اعمال یک میدان الکتریکی کنترل نمود . این یافته، کاربردهای مهمی در توسعه ابزارهای میکرو و نانو دارد.

New Page 1