الکترونیک سه بعدی ره‌آورد چاپ نانومواد

به تازگی محققانی از دانشگاه ایلینوز آمریکا روش جدیدی برای چاپ الکترونیکی ابداع کرده‌اند که توسط آن می‌توان لایه‌های غیرمشابه نیمه‌رسانا را با هم ترکیب کرد. به عنوان مثال می‌توان نانولوله‌های کربنی تک جداره را با اشکال نانومقیاس و میکرومقیاس نیترید گالیوم، سیلیکون و آرسیندگالیوم بر روی بستر‌های مشخص، با یکدیگر ترکیب و چاپ کرد. با استفاده از این روش می‌توان دسته‌های چند لایه‌ایِ فوق نازک از ترانزیستورهای لایه نازک، دیودهای نوری، ترانزیستورهای اثرمیدانی نیمه‌رسانای اکسید فلز (MOSFET) و سایر اجزا را ساخت.

به‌تازگی محققان دانشگاه ایلینویز آمریکا روش جدیدی برای چاپ
الکترونیکی ابداع کرده‌اند که به وسیله آن می‌توان لایه‌های غیرمشابه نیمه‌رسانا را
با هم ترکیب کرد. با استفاده از این روش می‌توان دسته‌های چند‌لایه‌ای فوق نازک از
ترانزیستورهای لایه نازک، دیودهای نوری، ترانزیستورهای اثرمیدانی نیمه‌رسانای اکسید
فلز (MOSFET) و سایر اجزا را ساخت. این گروه ابتدا نانوموادی مانند نانولوله‌های
کربنی تک‌جداره، آرایه‌های هم‌راستا از سیم‌های نانومقیاس تک بلوری و روبان‌های
نیترید گالیوم، سیلیکون و آرسنید گالیوم ساختند.

 در مرحله بعد، با استفاده از یک روش چاپ مهرزنی
الاستومریک، این نانومواد را به بستر ابزار منتقل کردند. در این روش از یک
مهر پلی دی‌ متیل سیلوکسان استفاده می‌شود. با روی هم قرار دادن این
نانومواد متضاد، اتصالات چسبنده وان در والس ایجاد شده و انتقال این مواد
از بستر منبع، ممکن می‌شود. سپس با قرار دادن این مهر به اصطلاح جوهری بر
روی بستری که با لایه نازکی از پلیمر اولیه مایع پوشیده شده، نانومواد به
این بستر منتقل می‌شوند. در نهایت با اصلاح پلیمر، نانومواد به‌صورت دائمی
به بستر منتقل می‌شوند. مرحله بعدی افزودن موادی چون دی‌الکتریک‌های گیت،
الکترودها و اتصالات داخلی به بستر است. به این منظور می‌توان فرایند چاپ
را برای افزودن لایه‌های بعدی تکرار کرد. با این روش، بستر‌های ابزارهایی
مانند پلاستیک‌های انعطاف‌پذیر، صفحات شیشه‌ای و یا ویفرهای نیمه‌رسانا
قابل ساخت است. علاوه بر این نیازی به رشد اپیتاکسی (epitaxial) و یا اتصال
ویفر (wafer bonding) نیست. با استفاده از این روش می‌توان در حوزه
الکترونیک انعطاف پذیر، ابزارهایی با کارایی بسیار بهتر ساخت. در حوزه
الکترونیک سه‌بعدی و ناهمگن، این روش می‌تواند برخی از محدودیت‌های مربوط
به رشد اپیتاکسی و اتصال ویفر را حذف کند. نمونه‌های نهایی ساخته شده با
این روش- یعنی ساختارهای الکترونیکی دوبعدی و سه‌بعدی ناهمگن با کارایی
بالا روی پلاستیک- بهترین خواص ممکن را از خود نشان دادند. محققان
امیدوارند در کاربردهایی که فناوری‌های الکترونیک مبتنی بر شیشه و یا ویفر
به خوبی جوابگو نیست، بتوان از این فناوری استفاده کرد. نمونه‌هایی از این
کاربردها، ادوات تصویربرداری و ارتباطی با سرعت بالا هستند که در آنها نیمه‌رسانا
و سیلیکون در روش غیرمعمول با یکدیگر ترکیب می‌شوند. نمایشگرهای انعطاف‌پذیر
و ابزارهای الکترونیکی دارای سطوح وسیع که در نمایشگرهای تشخیص سلامت شخصی
و ساختاری مورد استفاده قرار می‌گیرند، از کاربردهای دیگر این روش به شمار
می‌روند. هم‌اکنون، این گروه به بزرگ کردن مقیاس نمونه‌ها و یکپارچه‌سازی
این روش مشغول هستند تا به این وسیله نمونه‌های کاربردی واقعی بسازند. امید
است در آینده، این ادوات الکترونیکی انعطاف‌پذیر در نمونه‌های مشخصی از
ایمپلانت‌های پزشکی به کار گرفته شوند.