پژوهشگران از سفال لعابی TU و پایه FOM (ماده اصلی پژوهش)به طور موفقیت آمیز، پدیده انتقال از میان یک اتم منفرد در یک ترانزیستور را اندازه گرفته اند.
سفال لعابی TU،برروی ترانزیستور اتمی نور می تاباند
پژوهشگران از سفال لعابی TU و پایه FOM به طور موفقیت آمیز، پدیده انتقال از میان یک اتم منفرد در یک ترانزیستور را اندازه گرفته اند. این تحقیق بینش هایی جدید را در میان رفتار اصطلاحاًَ دوپینگ اتمها در سیلکون، خلق و پیشنهاد می کند. محققان قادرند یک واحد دوپینگ اتم در یک محیط نیم رسانای واقعی را اندازه گیری کنند و با مهارت اجرا کنند. مطالعه و درک رفتار انفرادی اتمهای دوپینگ درنقش یک برخورد کننده به مانع برای تبدیل بیشتر به ذرات کوچک، حیاتی است. محققان یافته هایشان را در Physical Review Letters منتشر خواهند کرد. |