قطعات الکترونیکی شفاف و انعطاف‌پذیر با استفاده از نانوسیم‌ها

محققان دانشگاه پوردو، دانشگاه نورث وسترن، و دانشگاه کالیفرنیای جنوبی تولید یک TFT نانوسیمی را گزارش کرده‌اند. سرعت انتقال بار در این TFTهای نانوسیمی بسیار بالاتر بوده و درنتیجه امکان تولید ابزارهایی با سرعت بالاتر فراهم می‌آید.

استفاده از ترانزیستورهای فیلم نازک (TFT)
و مداراتی که از این ترانزیستورها استفاده می‌کنند، در کاربردهایی همچون
نمایشگرها، قطعات الکترونیکی بزرگ، و قطعات الکترونیکی قابل چاپ بسیار جالب
می‌باشد.

فناوری‌های TFT جاافتاده‌ای همچون سیلیکون بی‌شکل و پلی‌سیلیکون برای
بسیاری از کاربردهای فعلی مناسب می‌باشند (تقریبا تمام صفحات نمایشگر رنگی
تلفن‌های همراه از این فناوری‌ها استفاده می‌کنند)، اما این فناوری‌ها در
مواردی همچون انعطاف‌پذیری یا شفافیت با چالش مواجه هستند.

به علاوه این TFTها توانایی انتقال بار متوسطی دارند (شاخصی که سرعت جریان
الکترون‌ها را در یک ماده مشخص در یک میدان الکتریکی نشان می‌دهد).

این سرعت متوسط انتقال بار به معنی سرعت عملکرد متوسط در این گروه از TFTها
می‌باشد. TFTهای آلی عموما برای کاربردهایی که انعطاف‌پذیری مورد نیاز می‌باشد،
مناسب‌تر بوده و به علاوه می‌توان آنها را به صورت شفاف تولید کرد.

با این حال توانایی انتقال بار این TFTها کاملا پایین بوده و این امر سرعت
عملکرد ابزارها را کاهش داده و به علاوه، اندازه ابزارهای تولیدی را افزایش
می‌دهد.

محققان دانشگاه پوردو، دانشگاه نورث وسترن، و دانشگاه کالیفرنیای جنوبی
تولید یک TFT نانوسیمی را گزارش کرده‌اند.

سرعت انتقال بار در این TFTهای نانوسیمی بسیار بالاتر بوده و درنتیجه امکان
تولید ابزارهایی با سرعت بالاتر فراهم می‌آید.

به علاوه اندازه ابزارهایی که با این فناوری ساخته می‌شوند، کوچک‌تر بوده و
می‌توان در یک تراشه با اندازه مشخص، یکپارچه‌سازی بهتری انجام داد.

این TFTها همچنین با انواع مختلفی از بسترها سازگار بوده و همچنین توانایی
فراوری در دمای اتاق را دارند که منجر به یکپارچگی بهتر با تعداد زیادی از
فناوری‌های دیگر (همانند نمایشگرها) می‌گردد.