استفاده از نانو سیمها در تولید تجاری LED های ماوراء بنفشی

نانو سیمهای نیمه هادی نیتریدهای گروه III (AlN/GaN/InN) کاندیداهای مناسبی
برای LEDهای کوچکی هستند که در سنسورها، ذخیره‎کننده اطلاعات و ارتباطات
نوری استفاده می شوند.

اما ساخت LEDهای نانوسیمی عموماً شامل یک سری از تکنیکهای ساخت است که به
آسانی نمی‎توانند به تولید تجاری برسند.

به عنوان نمونه می‎توان به تلاقی نانوسیمهای n-GaN و p-GaN ، n-GaN و n-Si
و یا هسته n-GaN و ساختارهای چند لایهInGaN/Gan/p-AlGaN/p-GaN ، روشهای
مشکل دستکاری نانوسیمها و برخی از روشهای ساخت یک به یک نظیر لیتوگرافی
پرتو یونی و حکاکی با پرتوی یونی متمرکز اشاره کرد.

NIST ادعا کرده که LEDهای جدید GaN می‎توانند نوری با طول موج ۳۶۵ نانومتر
را با حداکثر نیم پهنای ۲۵ نانومتر در ولتاژ کاربردی ۵۰µV در محدوده ماوراء
بنفش نشر دهند.