تیمی از شیمی‌دانان دانشگاه براون روشی ساده برای سنتز کنترل‌شده (هم اندازه و هم ترکیب) نانومیله‌ها و نانوسیم‌های آهن-پلاتینیوم یافته‌اند. نانوسیم‌های دارای شکل و جهت‌گیری مغناطیسی یکنواخت کلید اصلی ساخت حافظه‌های نسل جدید می‌باشند، اما سنتز انبوه این نوع از نانوسیم‌ها دشوار می‌باشد.
تولید کنترل شده نانوسیم‌ها جهت استفاده در حافظه‌های متراکم‌تر
| تیمی از شیمی‌دانان دانشگاه براون روشی ساده برای سنتز کنترل‌شده (هم اندازه و هم ترکیب) نانومیله‌ها و نانوسیم‌های آهن-پلاتینیوم یافته‌اند. نانوسیم‌های دارای شکل و جهت‌گیری مغناطیسی یکنواخت کلید اصلی ساخت حافظه‌های نسل جدید می‌باشند، اما سنتز انبوه این نوع از نانوسیم‌ها دشوار می‌باشد. در این روش با استفاده از تغییر دادن نسبت حلال به ماده فعال سطحی، نانوسیم‌هایی یک سطح ذخیره‌کننده مغناطیسی (هارد دیسک‌ها) از بخش‌های کوچک حاوی زمانی که هد خواننده/نویسنده یک هارد دیسک از این بخش‌های کوچک عبور می‌کند، برای ذخیره‌سازی اطلاعات بیشتر در یک فضای کوچک‌تر، مهندسان می‌توانند ذرات امکان اینکه بتوان نانوذرات مغناطیسی را در یک لایه نازک متراکم قرار داد، استفاده از نانوسیم‌ها یا نانومیله‌ها این مشکل را حل کرده و جهت‌گیری |
