محققانی از مرکز تحقیقاتی T. J. Watson در IBM نانوسیم‌های Ge را به‌صورت درجا در یک میکروسکوپ الکترونی عبوری (TEM) رشد داده‌اند. با این کار آنها توانسته‌اند اطلاعات بیشتری از ساختار و سنتیک رشد بدست آورند.
رشد نانوسیم‌ها با کمک کاتالیست‌های مایع یا جامد
|
محققانی از مرکز تحقیقاتی T. J. Watson در IBM نانوسیم‌های Ge را به‌صورت درجا در یک میکروسکوپ الکترونی عبوری (TEM) رشد داده‌اند. با این کار آنها توانسته‌اند اطلاعات بیشتری از ساختار و سنتیک رشد بدست آورند. قبلاً واگنر والیس پیشنهاد داده بودند که رشد نانوسیم یک فرآیند بخار- مایع مواد نیمه‌هادی به صورت بخار، با کمک یا قطره کاتالیست مایع به شکل نانوسیم بعضی از سیستم‌های کاتالیست/ نیمه‌هادی از قبیل Ge/Au، حتی زیر دمای متناوباً این کاتالیست می‌تواند مایع باشد، که با اثرات اندازه نانومقیاس این محققان برای مشاهده رشد نانوسیم Ge/Au زیر دمای eutectic از TEM |
|
| یکی از این محققان می گوید: “ما می‌توانیم اصرار غیر منتظره حالت مایع در زیر دمای eutectic تعادلی را با کمک مدلی که در آن به خاطر این که فرآیند رشد مایع را تثبیت می‌کند، حالت فوق اشباعی از Ge ایجاد می‌شود؛ توضیح دهیم. اگر این مدل برای ساخت نانوسیم‌ها ازمواد دیگر، مناسب باشد (که ما بر این باور هستیم)، آن می‌تواند یک حالت کاتالیستی متغییر مداوم در طول رشد سیم InAs و GaAs، را توضیح دهید و مسیرهایی برای کنترل ساختار سیم ارائه دهد”. انتظار می‌رود که حالت کاتالیست میزان رشد، جهت‌یابی و مورفولوژی سیم را این محققان اکنون می‌خواهند، رشد سیم‌های Si با استفاده از دیگر کاتالیست‌ها، نتایج این تحقیق در مجله Science منتشر شده ست. |
