بهدلیل پذیرش مبانی فرایندهای سیلیکونی و سازگاری سیلیکون با مدارهای CMOS رایج، نانووسایل سیلیکونی از اهمیت خاصی برخوردار هستند. نانوالکترونیک سیلیکونی پیشرفتهای جدید در دستگاهها و مواد جدید را که نویدبخش تراشههای کوچکتر و بسیار قویترند، مورد بازرسی و آزمایش قرار میدهد.
این کتاب با مشارکت بیش از ۲۰محقق نوشته شدهاست؛ آنها اطلاعات پیشزمینهای عمیقی را عرضه، و مسائلی از قبیل اثرات کوانتمی، انتقال بالستیکی، و تونلزنی رزونانت (Resonant) در فناورینانوسیلیکونی را مورد بحث و بررسی قرار دادهاند. همچنین در این کتاب بهصورت قابل توجهی به همه ترانزیستورهای الکترونی منفرد سیلیکونی مهم و وسایلی که از آنها استفاده میکنند، پرداخته شده است.
معرفی کتاب_عنوان: نانوالکترونیک سیلیکونی
|
عنوان: نانوالکترونیک سیلیکونی عنوان اصلی: Silicon Nanoelectronics نویسنده گان : Shunri Oda, David Ferry شماره شابک: ۰۸۲۴۷۲۶۳۳۲ تعداد صفحات: ۳۲۸ تاریخ انتشار: ۲۰۰۵ انتشارات: CRC Press |
|
بهدلیل پذیرش مبانی فرایندهای سیلیکونی و سازگاری سیلیکون با مدارهای CMOS رایج، نانووسایل سیلیکونی از اهمیت خاصی برخوردار هستند. نانوالکترونیک سیلیکونی پیشرفتهای جدید در دستگاهها و مواد جدید را که نویدبخش تراشههای کوچکتر و بسیار قویترند، مورد بازرسی و آزمایش قرار میدهد. این کتاب با مشارکت بیش از ۲۰محقق نوشته شدهاست؛ آنها اطلاعات پیشزمینهای عمیقی را عرضه، و مسائلی از قبیل اثرات کوانتمی، انتقال بالستیکی، و تونلزنی رزونانت (Resonant) در فناورینانوسیلیکونی را مورد بحث و بررسی قرار دادهاند. همچنین در این کتاب بهصورت قابل توجهی به همه ترانزیستورهای الکترونی منفرد سیلیکونی مهم و وسایلی که از آنها استفاده میکنند، پرداخته شده است. |
 |
| فهرست مطالب کتاب فصل ۱. فیزیک نانووسایل سیلیکونی فصل ۲. مقیاسگذاری CMOS کاربردی فصل ۳. محدودیت مقیاسگذاری MOSFET بهعلت تونلزنی مستقیم Source-Drain فصل ۴. اثرات کوانتمی در نانووسایل سیلیکونی فصل ۵. انتقال بالستیکی در نانوساختارهای سیلیکونی فصل ۶. تونلزنی رزونانت در نانووسایل سیلیکونی فصل ۷. حافظه و ترانزیستور الکترونی منفرد سیلیکونی فصل ۸. حافظههای سیلیکونی با استفاده از اثرات کوانتمی و الکترون منفرد فصل ۹. وسایل حافظه SESO فصل ۱۰. وسایل الکترونی و مدارهای حافظه فصل ۱۱. وسایل منطقی الکترون منفرد |
