مشاهده موقعیت دقیق اتم‌ها در نیمه‌هادی‌ها برای اولین بار

شرکت آی‌بی‌ام و Imago یک گام بزرگ در جهت محقق کردن پیش‌بینی دکتر فاینمن
برداشته‌اند. بنا بر گزارش مجله Science در شماره ۷ سپتامبر ۲۰۰۷، این دو
شرکت برای اولین بار توانسته‌اند توزیع اتم‌های منفرد ناخالصی را در
ابزارهای نیمه‌هادی مشاهده کنند.

آنها از توموگرافی (تصویربرداری با اشعه ایکس) روبش اتمی برای کمی کردن
موقعیت و هویت اتم‌های مجاور نقایص (بلوری) در سیلیکون استفاده نمودند. این
ناخالصی‌ها به شکلی یکنواخت در سیلیکون وارد می‌شدند و همیشه امید بر این
بود که توزیع ناخالصی درون سیلیکون به شکلی یکنواخت صورت بگیرد.

با این حال محققان آی‌بی‌ام و Imago دریافتند که پس از وارد کردن یون‌ها و
فرایند آنیلینگ، در اطراف نقایص موجود در سیلیکون خوشه‌هایی از اتم‌های
ناخالصی شکل می‌گیرند.

تام کلی یکی از نویسندگان مقاله مجله Science و مدیر اجرایی Imago می‌گوید:
«این برای اولین بار است که اطلاعات سه‌بعدی کمی مشخصی از موقعیت دقیق اتم‌های
ناخالصی نسبت به نقایص بلور به دست می‌آید. توانایی دستگاه پروب اتمی LEAP
۳۰۰۰X Si که از لیزر کمک می‌گیرد در به دست آوردن این اطلاعات نتیجه سال‌ها
کار دستگاهی و توسعه کاربردهاست. حال ما یک روش جدید قدرتمند برای روبش
موقعیت دقیق اتم‌های ناخالصی در نیمه‌هادی‌ها در اختیار داریم».