محققان آی بی ام، با استفاده از روش جدیدی بر مبنای الکترون- فونون موفق به اندازه‌گیری نحوه توزیع بارهای الکتریکی در نانولوله‌های کربنی به قطر کمتر از دو نانومتر شدند و به این ترتیب به جزئیات بیشتری از رفتار الکتریکی این نانولوله‌ها ـ که بلوک‌های سازنده نسل آینده تراشه‌های رایانه‌ای سریع‌تر و کم‌مصرف‌تر از ترانزیستورهای سیلیکونی کنونی را تشکیل می‌دهند ـ دست یافتند.
تحقیقی جدید در بررسی ارتعاشات نانولوله‌ها
|
ساخت ترانزیستورهای بهتر مستلزم درک بیشتر چگونگی تأثیر محیط بر این بارهای گزارش این تحقیق در شماره چهاردهم اکتبر ۲۰۰۷ نشریه Nature Nanotechnology به چاپ مزیت این روش آن است که می‌توان برهم‌کنش بین حرکت اتم‌ها و الکترون‌ها، و تغییرات در مارس ۲۰۰۶ این محققان توانستند اولین مدار مجتمع کامل الکترونیکی را حول یک تک‌مولکول در کنار الکترون‌ها می‌توان از فوتون‌ها برای انتقال سیگنال‌های الکتریکی و انجام محققان با درک چگونگی این برهم‌کنش‌های موضعی به روش بهتری برای به‌کارگیری قابلیت |
