انقلاب در فناوری ذخیره داده

به گفته دانشمندان تحولات مهیج و جالبی در عرصه ذخیره داده در حال وقوع است؛ مثلاً
پیشرفت‌های اخیر اسپینترونیک و استفاده از حالت‌های کوانتومی می‌تواند به تحولات
قابل توجهی در زمینه ظرفیت ذخیره داده و بازیابی آن منجر شود.

در گذشته دانشمندان، اصلی را به نام مقاومت مغناطیسی بزرگ(GMR) کشف کرده بودند که
در ساخت دستگاه‌های الکترونیکی کاربرد دارد و بر اساس آن نوعی RAM مغناطیسی ثابت و
با دوامی نامحدود و سرعت دسترسی تصادفی بالا(پنج نانوثانیه برای خواندن و نوشتن
داده‌ها) ساختند که با استفاده از آن ضمن یکی شدن درایو و تراشه، سرعت و توان
پردازش و ظرفیت ذخیره داده رایانه هم به میزان قابل توجهی افزایش می‌یافت و در واقع
حافظه مناسبی برا ی کاربرد در نانوالکترونیک به شمار می‌آمد.

شرکت آی بی ام(اولین شرکتی که به تجاری‌سازی GMR پرداخت) هم‌اکنون مشغول تحقیق
درباره نسل جدید درایوهای رایانه‌ای است که می‌تواند ظرفیت ذخیره داده را صدها
برابر افزایش دهد. این امر می‌تواند به نقض قانون مور(مؤسس شرکت اینتل) منجر شود که
گفته بود تعداد ترانزیستورهای مدارهای مجتمع تقریباً هر دو سال دو برابر می‌شود؛
زیرا با توجه به تحولات روی‌داده در علم مواد و کوچک شدن اندازه و در عین حال بیشتر
شدن ظرفیت ترانزیستورها، دیگر نیازی به افزایش تعداد آنها در مدار نخواهد بود و
همین هم منجر به ساخت DVDهای پیشرفته با قابلیت نگارش مجدد شده‌است.

همچنین این دستاوردها می‌تواند به روش‌های مونتاژ پایین به بالا و ساخت نانولوله‌ها
و نانوسیم‌هایی منجر شود که در نهایت روزی جایگزین فناوری سیلیکونی نانوالکترونیک
می‌گردند. این مطلب در مقاله‌ای با عنوان فناوری طلایه دار در نشریه Nature
Materials به چاپ رسیده‌است.