اخیراً محققان کره‌ای و استرالیایی با استفاده از لایه‌های متراکم از نانوذرات طلا به ابعاد تقریبی ۱۶ نانومتر و رسوب دادن آن روی ماده پایه سیلیکونی روکش‌شده با اکسید هافنیوم، توانستند چگالی ذخیره داده در حافظه‌های فلش و در نتیجه توانایی ذخیره اطلاعات در آنها را تا حد زیادی افزایش دهند و در مقایسه با حافظه‌های تک لایه به حدود ۶/۳ برابر برسانند.
ساخت نوع جدیدی از حافظه فلش با ابعادی متفاوت
حافظه‌های فلش همانند کارت‌های حافظه دوربین‌های دیجیتال و حافظه‌هایی که
به کابل‌های USB متصل می‌شوند، معمولاً شامل تنها یک تک لایه از ابزارهایی
هستند که بارهای الکتریکی را به دام انداخته و در نتیجه به کدبندی اطلاعات
دیجیتالی می‌پردازند.
اخیراً محققان کره‌ای و استرالیایی با استفاده از لایه‌های متراکم از
نانوذرات طلا به ابعاد تقریبی ۱۶ نانومتر و رسوب دادن آن روی ماده پایه
سیلیکونی روکش‌شده با اکسید هافنیوم، توانستند چگالی ذخیره داده این حافظه‌ها
و در نتیجه توانایی ذخیره اطلاعات در آنها را تا حد زیادی افزایش دهند و در
مقایسه با حافظه‌های تک لایه به حدود ۶/۳ برابر برسانند.
به عقیده آنها با تغییر pH و توان یونی و نیز
تغییر نانوذرات استفاده‌شده می‌توان چگالی و عملکرد این ابزارها را به‌طور
دلخواه تنظیم نمود. دانشمندان امیدوارند این تحقیق در نهایت روشی برای سنتز
شیمیایی این قبیل حافظه‌ها باشد و با استفاده از شیمی کلاسیک بتوان قطعات
الکترونیکی نانومقیاس را تولید نمود
