فرایند تازه‌ای که بتواند با دقت نانومتری اتم‌های آلاینده را در مواد نیم‌رسانا قرار دهد می‌تواند تبدیل به یک فناوری بزرگ در مینیاتوری کردن میکروالکترونیک سیلیکونی شود. با کوچک شدن اندازه ترانزیستورها، بحث مربوط به کنترل قابل اعتماد آلایش در آنها به ویژه در نواحی خروجی و چشمه بسیار کم‌عمق، بسیار مهم می‌شود.
آلایش نانومقیاس با لایه‌های سطحی
| کاشت یون و نفوذ منبع جامد، دو روش استاندارد برای قرار دادن آلاینده‌ها در نیم‌رساناهاست، ولی در مقیاس‌های کوچک، این روش‌ها دقت کافی برای قرار دادن دقیق آلاینده‌ها در مکان مورد نظر را ندارند، همچنین روش کاشت یون باعث خرابی بلور نیز می‌گردد. هم‌اکنون گروهی از مهندسان برق دانشگاه کالیفرنیای برکلی، به رهبری علی جاوی روش آلایش تازه‌ای بر اساس شیمی سطح ابداع کرده‌اند. جاوی توضیح داد: “ما با استفاده از شیمی مربوط به سطح مواد بلوری و نیز با کنترل شرایط گرمادهی می‌توان عمق نفوذ این آلاینده‌ها را کنترل کرد. به این محققان ادعا می‌کنند که این روش جدید می‌تواند نیاز حیاتی به فناوری جاوی گفت:” این روش در بسترهای استاندارد سیلیکونی، سیلیکون روی عایق و نتایج این تحقیق در مجله Nat. Mater. منتشر شده‌است. |
