بهترین کارایی برای ترانزیستورهای کبالت

به تازگی محققان ژاپنی موفق شده‌اند تا با استفاده از فلوران و دی اکسید
سیلیکون تیتانیوم بر روی یک زیر لایه پلاستیکی، ترانزیستورهای لایه نازک
آلی n-channel جدیدی را بسازند. با پایدار ساختن این ترانزیستورها، می‌توان
آنها را در کاربردهای مختلف الکترونیک انعطاف‌پذیر به کار گرفت.

هم‌اکنون بیشتر تحقیقات مربوط به ترانزیستورهای لایه نازک آلی بر روی
ترانزیستورای p-channel متمرکز است، زیرا این ترازیستورها نسبت به
ترانزیستورهای n-channel دارای مزایای محسوسی همچون میزان پویایی(mobility)
بالاترند.

یکی از مشکلات ترانزیستورهای( n-channelو سایرترانزیستورهای لایه نازک آلی)،
ولتاژ کاری بالای آنهاست.

به‌تازگی جانگو نا و همکارانش از دانشگاه توکیو، موفق شده‌اند تا با
استفاده از یک عایق گیت با ثابت دی الکتریک بالا ترازیستورهای n-channel
جدیدی با ولتاژ کاری ۵-۲ ولت بسازند. به گفته “نا” میزان پویایی این نوع
ترانزیستورها در ولتاژهای پایین، حداقل ده برابر بزرگ‌تر از سایر
ترازیستورهایn-channel است.

وی اظهار داشت که شاخصهای کاری ترانزیستور مذکور در بین ترازیستورهای آلی
n-channel، بهترین و قابل مقایسه با شاخصهای کاری ترازیستورهای آلی
p-channel و سیلیکون آمورف است نا و همکارانش ابزار های خود را با استفاده
از یک فرایند shadow mask ساده بر روی یک زیرلایه پولیمری
سایکلو-الفین(cyclo-olefin) انعطاف‌پذیر ساختند.

این نوع ترانزیستور دارای کاربردهای بی‌شماری است. نا در این مورد اظهار
داشت که می‌توان از آنها به‌عنوان مکمل ترازیستورهای p-channel در تمام
مدارهای دیجیتال آلی و حتی در مدار های آنالوگ آلی ولتاژ-پایین انعطاف‌پذیر
بهره گرفت.

با این حال ترانزیستورهای C60 ناپایدارند، زیرا در مجاورت هوا به‌سرعت
تجزیه می‌شوند؛ البته گروهی از همکاران نا با اضافه کردن لایه‌
واکنش‌کننده‌ای به دنبال حذف این اکسایش هستند.

علاوه بر این محققان مذکور به دنبال بررسی نحوه تغییر خصوصیات ولتاژ-جریان
این ابزار تحت خمش هستند.

جزئیات این خبر در نشریه Appl. Phys. Lett به چاپ رسیده‌است.