کشف خواص غیرعادی نانو نوارهای گرافنی به‌وسیله فیزیکدان ایرانی

گرافن به‌دلیل داشتن خواص رسانشی خوب، جایگزین مناسبی برای سیلیکون بوده وکاربرد فراوانی در الکترونیک و قطعات مداری مختلف مانند ترانزیستورها دارد. اما اخیرا دانشمندان با انجام تحقیقی دریافته‌اند که اشکال کوچک و نواری شکل این ماده کاملا ً به عکس می‌باشند.

گرافن به‌دلیل داشتن خواص رسانشی خوب، جایگزین مناسبی برای سیلیکون بوده
وکاربرد فراوانی در الکترونیک و قطعات مداری مختلف مانند ترانزیستورها
دارد.

اما اخیرا دانشمندان با انجام تحقیقی دریافته‌اند که اشکال کوچک و نواری
شکل این ماده کاملا ً به عکس می‌باشند. مهدی زارع فیزیکدان ایرانی به همراه
نانسی ساندلر از اساتید دانشگاه اوهایو آمریکا با بررسی نوارهای باریک
گرافنی دریافتند که این نوارها آنگونه که تصور می‌شود از خواص رسانشی خوبی
برخوردار نمی‌باشند و در دمای اتاق بازاء مقداری کمتر از یک حداقل پهنای
خاص، تغییر قابل ملاحظه ای در رسانش گرافن روی می‌دهد.

آنها در آزمایشات خود ثابت کرده‌اند که در این سیمهای بسیار نازک، تصحیحات
نسبیتی صفحات گرافنی و برهم کنشهای اسپین – مدار کاملا ً برخلاف حالت توده
ای گرافن بوده و حتی حرکت الکترونها با سرعت و در مسیر ثابت انجام نمی‌شود.

مطابق بررسیهای انجام شده در این حالت دیگر رسانش یا رفتار فلزی ماده به
چگونگی حرکت الکترونهای آن بستگی ندارد و این میزان نزدیکی و نیروی دافعه
آنهاست که نقش تعیین کننده دارد.

به عقیده این محققان اگرچه برای ساخت مدارهای کوچک و نانومقیاس گرافنی لازم
است تا قطعه‌های نواری شکل از این ماده تولید شود اما قبل از آن باید
راهکاری برای غلبه بر دافع طبیعی بارهای همنام و تقویت رسانش این نوارها
یافت.

برای آگاهی از جزئیات بیشتر به گزارش کامل این تحقیق که در نشریه Physical
Review Letters به چاپ رسیده است مراجعه نمایید.