موفقیت شرکت NEC درساخت ترانزیستور CNT با استفاده از فرآیند پوشش

شرکت NEC اعلام کرد موفق شد به کمک فرآیند پوشش ترانزیستورهای
نانولوله‌ای بسازد. عملکرد اساسی ترانزیستورهای جدید با
ویژگیهای پیشرفته تایید شده است.

ترانزیستورهای CNT بر اساس فناوری و راهنمای جدید طراحی تولید
شدند. با استفاده از این نوع فرایند پوشش علاوه بر تنوع
کارایی، تحرک فوق العاده بالا برای این ترانزیستورها بدست آمد.

میزان تقاضا برای تجهیزات الکترونیک در سالهای اخیر و با
افزایش ملاحظات زیست محیطی بیشتر شده است و این خود نیاز به
محصولات الکترونیکی پیشرفته را که همزمان اثرات زیست‌محیطی
کمتری دارند افزایش داده است.

ترانزیستورهای آلی و ابزار الکترونیکی چاپی دیگر ظرفیت و
قابلیت حل این مساله را دارند. فناوری‌های چاپ ابزار
الکترونیکی از آن جهت منحصر به فردند که امکان چاپ مستقیم
ترانزیستورها را بر روی زیرلایه فراهم میکنند. این ابزار،
فرایندهای تولید و ساخت را در مقایسه با روشهای مرسوم تولید
نیمه‌هادی‌ها ساده‌تر کرده، مواد پس‌مانده از فرآیند همچنین
نشر CO2 را تا ۹۰ درصد کاهش می‌دهند.

عموماً مواد مرسوم ترانزیستورهای آلی تحرک کمی دارند و از طرفی
برای ابزارهای الکترونیکی با سرعت عملیاتی بالا مناسب نیستند.
ولی استفاده از نانولوله‌های کربنی برای ترانزیستورهای جدید
سبب افزایش تحرک تا حدود صد برابر ترانزیستورهای آلی معمولی
شده است. نتایج این پژوهش در کنفرانس فناوری نانو سال ۲۰۰۸
ژاپن ارائه شد.