اخیراً شرکت ترانسلومه (Translume) اعلام کرده است که سری جدیدی از تراشه‌های میکروسیالی سیلیسی ترکیبی (fused) را برای کاربردهای زیستی، پزشکی و شیمیایی عرضه می‌کند. این تراشه‌ها، ترانسلومه را در صدر شرکت‌هایی که در بازارِ «آزمایشگاه در یک تراشه» حضور دارند، قرار خواهد داد.
عرضه تراشه‌های میکروسیالی سیلیسی ترکیبی توسط شرکت ترانسلومه
به تازگی محققان ترانزیستور جدیدی ساخته‌اند که بازده آن نسبت به ترانزیستورهای کنونی، ۵۰ برابر بیشتر است. ترانزیستور مذکور، نخستین ترانزیستوری است که با استفاده از فناوری نانو ساخته شده است و به ساخت و راه‌اندازی ارتباطاتِ بی‌سیمِ خانگی کمک خواهد کرد.
لارز-اریک ورنرسان، پروفسور فیزیک حالت جامد در دانشگاه لاندِ (Lund University) سوئد، در این ارتباط گفت: «این ترانزیستور می‌تواند مصرف انرژی در گوشی‌های تلفنِ همراه و رایانه‌ها را کاهش دهد. همچنین، این ابزار می‌تواند به مخابره‌ی اطلاعات در بسامدهایی که برای فناوری‌های کنونی بسیار بالا هستند کمک کند.»
پیش از این، محققان معتقد بودند که نمی‌توان بدون ایجاد گرمای اضافی و نامطلوبِ ناشی از حرکت الکترون‌ها، ترانزیستورها را از اندازه‌ی کنونی کوچکتر کرد. ورنرسان در این باره گفت: «مدل ما از آرسنیدِ ایندیوم ساخته شده است و در این محیط، الکترون‌ها بسیار آسانتر از محیط سیلیکونی ترانزیستورهای معمولی حرکت می‌کنند. البته بدون بهره‌گیری از فناوری نانو، ساخت چنین ترانزیستورهایی دشوار است.» وی در مورد نحوه‌ی بکارگیری از فناوری نانو گفت که این ترانزیستورها به جای «حکاکی»، به صورت خود تشکیل‌شونده (self-organized) و بر اساس یک اصل پایین-بالا ساخته می‌شوند.
ورنرسان و همکارانش امیدوارند که بتوانند به این شکل، ترانزیستورهایی با بسامد کاری ۶۰GHz تولید کنند (بسامد کاری لوازم الکتریکی کنونی ۳ تا ۱۰ گیگاهرتز است). وی در این ارتباط گفت: «با این بسامد می‌توان به ایجاد ارتباطات بی‌سیم در منزل، مثلاً دانلود فیلم یا برقراری ارتباط بین تلویزیون و پروژکتور امیدوار شد. ما مطمئن هستیم که این لوازم در آینده، هرچه بیشتر یکپارچه خواهند شد.»
اخیراً ورنرسان اعلام کرده است که ۲۴٫۵ میلیون SEK از بنیاد تحقیقاتِ راهبردی سوئد دریافت کرده است تا مدارهای بی‌سیم جدیدی را با استفاده از فناوری نانو، طراحی و تولید کند. ترانزیستورِ جدیدِ این گروه، یکی از ضروریات مدارهای مذکور می‌باشد. محققان مزبور برای ساخت این ترانزیستور با شرکتِ QuNano همکاری کرده‌اند.
نتایج این بررسی در شماره اخیر نشریه Electron Device Letters به چاپ رسیده است.
