ابداع روشی جدید در ساخت مدارهای نانوسیمی

اگرچه تولید انبوه نانوسیم‌های رسانا آسان و ارزان است، مشکل عمده، چگونگی قرار
دادن آنها در مدارهای الکتریکی است. برای رفع این مشکل این محققان از روش‌های مرسوم
تولید مدارهای مجتمع سیلیکونی و لیتوگرافی نوری استفاده کرده، الگوی مورد نظر خود
را ایجاد کردند. با توجه به آنکه این روش به ترتیب هندسی قرار گرفتن نانوسیم‌ها روی
ماده پایه بستگی ندارد، می‌توان از آن علاوه بر روش‌های دیگر نیز استفاده نموده،
مدارهای فوتونیکی را به شیوه‌ای استاندارد ساخت.

دستگاه‌های نانوسیمی این محققان دارای ساختاری ساندویچی است و نانوسیم‌ها بین دو
لایه بسیار رسانا ـ که دو اتصال فلزی بالا و پایین دستگاه را تشکیل می‌دهند ـ قرار
داده می‌شوند. استفاده از این روش مانع از اتصال کوتاه مدارها شده، جریان یکنواختی
را در آنها ایجاد می‌کند. با توجه به آنکه این نانوسیم‌ها از مواد مورد استفاده در
الکترونیک و فوتونیک ساخته می‌شوند، استفاده از آنها در دیودهای نشر نور و مدارهای
مجتمع سیلیکونی امکان‌پذیر است و تاکنون صدها دیود نشر نور فرابنفش به این شیوه
ساخته شده‌است.

این دانشمندان امیدوارند توسعه این روش منجر به ساخت نانوسیم‌هایی برای تمام انواع
ویفرهای الکترونیکی شود که در آن صورت دسته کاملاً جدیدی از مدارهای مجتمع و
اتصالات نوری داخلی پدید می‌آید؛ و مثلاً می‌توان از آن در ساخت حسگرهای روی تراشه
استفاده کرد.

گفتنی است این تحقیق ـ که در مرحله اخذ گواهی ثبت اختراع است ـ با حمایت مالی بنیاد
ملی علوم و بنیاد تحقیقات آلمان انجام شده‌است و نتایج آن در نشریه Nano Letters به
چاپ رسیده‌است.