روشی جدید برای ایجاد نانوساختارهای سه‌بعدی از مواد مغناطیسی

محققان مؤسسه ملی استاندارد و فناوری(NIST) آمریکا، به روشی برای تولید
نانوساختارهای سه‌بعدی پیچیده از مواد مغناطیسی(از قبیل نیکل و آلیاژ نیکل-آهن) دست
یافتند. این شیوه ـ که در واقع تغییریافته روش‌های مرسوم در سیم‌کشی اتصالات درون
مداری است ـ کاملا ً با روش‌های استاندارد تولید نیمه‌رساناها برابری می‌کند؛ در
این روش نیز ابتدا شیارهای افقی و عمودی در سطح ویفر ایجاد شده، سپس با آبکاری
الکتریکی شیارها پر می‌شود و روکشی از نیکل و آلیاژ نیکل-آهن آنها را فرا می‌گیرد.

این روش راهکار بسیار مؤثری برای ایجاد نانوساختارهای فرومغناطیسی با نسبت طول به
عرض بالا(از ده‌ها نانومتر تا صدها میکرون) است. از ویژگی‌های کلیدی در این روش
اندازه‌گیری‌های نسبتاً سریع و ارزان الکتروشیمیایی است که در تولید مواد جدید
کاربرد خواهند داشت.

به این ترتیب امکان ساخت دسته کاملاً جدیدی از حسگرها و ابزارهای
میکروالکترومکانیکی(MEMS) از قبیل محرک‌ها و القاگرها ـ که ترکیبی از آلیاژ
مغناطیسی و مواد غیر مغناطیسی مانند اتصالات درونی مسی دارند ـ با روش‌های تولید
کنونی فراهم می‌شود.