ابداع روشی جدید برای ساخت نانوسیم‌های فلزی

تصادفی بودن ذاتی سنتز نانوسیم‌های فلزی، باعث شده که تاکنون استفاده از آنها در دستگاه‌های الکترونیکی و اپتوالکترونیکی با چگالی بالا امکان‌پذیر نباشد؛ اما اخیراً محققانی در آمریکا به روش جدیدی در این خصوص دست یافته‌اند؛ در این روش نانوسیم‌های مسی بدون نیاز به کاتالیست و در دمای پایین تولید شده و می‌توان از آنها در نمایشگرها استفاده نمود.

تصادفی بودن ذاتی سنتز نانوسیم‌های فلزی، باعث شده که تاکنون استفاده از آنها در
دستگاه‌های الکترونیکی و اپتوالکترونیکی با چگالی بالا امکان‌پذیر نباشد؛ اما اخیراً
محققانی در آمریکا به روش جدیدی در این خصوص دست یافته‌اند؛ در این روش نانوسیم‌های
مسی بدون نیاز به کاتالیست و در دمای پایین تولید شده و می‌توان از آنها در
نمایشگرها استفاده نمود.

این دانشمندان با استفاده از روش رسوب‌دهی بخار شیمیایی (cvd) به همراه پیش‌سازCu
(اتیل-۳- اکسوبوتانات) [تری‌اتیل‌فسفات]۲، موفق شدند نانوسیم‌هایی مسی را ـ که طول
و قطر آنها برحسب ماده پایه، دما، زمان رسوب‌دهی و شدت افزودن پیش‌ساز قابل تنظیم
بود ـ روی سطوح مختلف رشد دهند.

در تحلیل‌های ساختاری این محققان مشخص شد که این نانوسیم‌ها قابلیت خوبی برای نشر
الکترون دارند. به این منظور آنها آرایه‌ای از این نانوسیم‌های مسی را روی ماده
پایه الگودهی‌شده‌ای از جنس سیلسیوم(Si) رشد دادند و موفق شدند با الکترون‌های ساطع‌شده
از این نانوسیم‌ها دو حرف UI را روی آند شیشه‌ای ـ که با روکشی از فسفر پوشانده شده
بود ـ فعال کنند.

به عقیده این محققان با قرار دادن تعداد زیادی از این نشردهنده‌ها درون ناحیه
الگودهی‌شده، می‌توان نمایشگرهای نشر میدانی بادوامی ساخت، ضمن آنکه این روش بدون
کاتالیست با فرایندهای سیلیکونی هم سازگاری دارد، همچنین با توجه به دمای پایین این
فرایند امکان استفاده از نانوسیم‌های فلزی در نمایشگرهای الکترونیکی پلاستیکی فراهم
می‌شود.