ارائه روشی اصلاح شده برای سنتز نانومیله‌های یک‌بعدی توسط پژوهشگران ایرانی و ژاپنی

پژوهشگران دانشگاه علم و صنعت طی پژوهشی، با همکاری پژوهشکده اُپتیک و لیزر و اساتید دانشگاه ناگویای ژاپن، موفق به سنتز و رشد نانومیله‌های دی‌اکسید تیتانیوم به روش اصلاح شده سُل- ژل با استفاده از قالب‌‌های متخلخل آلومینایی، شدند.

پژوهشگران دانشگاه علم و صنعت طی پژوهشی، با همکاری پژوهشکده اُپتیک و لیزر و اساتید دانشگاه ناگویای ژاپن، موفق به سنتز و رشد نانومیله‌های دی‌اکسید تیتانیوم به روش اصلاح شده سُل- ژل با استفاده از قالب‌‌های متخلخل آلومینایی، شدند.

مهندس عباس صادق‌زاده عطار، دانشجوی دکتری دانشکده مهندسی متالورژی و مواد دانشگاه علم و صنعت، با بیان این مطلب که هدف اصلی از سنتز نانومیله دی‌اکسید تیتانیوم، کاربرد وسیع آن در صنایعی همانند اُپتیک، الکترونیک، انرژی، تصفیه آب، پیل خورشیدی و غیره است، افزود: “در سال‌های اخیر روش‌های مختلفی جهت سنتز نانومواد یک بعدی، همانند لیتوگرافی، رشد در محلول به کمک عوامل ترکننده، رسوب نشانی بخار شیمیایی و رشد به کمک قالب توسعه یافته است که روش سنتز به کمک قالب، به دلیل امکان تولید ردیف‌های بسیار منظم و یکنواخت، سادگی و ارزانی یکی از بهترین روش‌ها در سنتز این نوع نانوساختارها است”.

صادق‌زاده در رابطه با چگونگی این روش گفت: “در این روش به منظور تهیه نانومیله‌های دی‌اکسید تیتانیوم، ابتدا پنج محلول سُل دی‌اکسید تیتانیوم با نسبت‌های مولار مختلف به روش سُل- ژل تهیه می‌گردد. سپس محلول‌های سُل دی‌اکسید تیتانیوم به داخل قالب‌های آلومینیایی با قطر حفرات مختلف تزریق و به‌‌منظور پر شدن کامل حفرات، قالب‌ها، داخل محلول‌های جوشان دی‌اکسید تیتانیوم قرار می‌گیرند. پس از خشک کردن، نمونه‌ها در دماها و زمان‌های مختلف، آنیل شده و در نهایت، پس از حذف قالب‌های آلومینیایی توسط محلول اِچ NaoH، ردیف‌های نانومیله دی‌اکسید تیتانیوم، سنتز می‌شوند”.

این پژوهش در قالب بخشی از پایان‌نامه دکتری عباس صادق‌زاده و با هدایت دکتر شمس‌الدین میردامادی از دانشگاه علم و صنعت ایران، دکتر فرشته اسماعیل‌بیگی از پژوهشکده اُپتیک و لیزر، مشاوره مهندس مرتضی ساسانی از پژوهشکده اُپتیک و لیزر و راهنمایی پروفسور کونیهوتو کوموتو و دکتر کیوفومی کاتاگیری از دپارتمان شیمی کاربردی دانشگاه ناگویای ژاپن انجام شده و جزئیات آن در مجله Journal of Materials Science and Technology ، (جلد ۴۳، صفحات ۵۹۲۹-۵۹۲۴، سال ۲۰۰۸) منتشر گردیده است.