امکان ادامه قانون مور در مقیاس نانومتری

قانون مور بیان می‌کند که چگالی ترانزیستورها روی یک مدار مجتمع هر دو سال
یکبار دو برابر می‌شود. بر اساس همین قانون اندازه قطعات رفته‌رفته کوچک‌تر می‌شود؛
اما دانشمندان بر این باورند که با رسیدن اندازه ترانزیستورها به حدود ۲۰
نانومتر، اثرات گرمایی و کوانتومی چنان شدید خواهند شد که این قطعات دیگر قابل
استفاده نخواهند بود و ادامه این قانون با مشکل مواجه خواهد شد.

محققان NPL در مقاله‌ای که در مجله Nano Letters منتشر نموده‌اند، به‌عنوان
بخشی از یک پروژه که مربوط به پدیده‌های مغناطیسی در مقیاس‌های پایین است، به
بررسی راه‌حل‌های این مشکل پرداخته‌اند.

این دانشمندان در این مقاله تحقیقات خود را روی نانوسیم‌های ژرمانیوم آلوده شده
با تک‌بلورهای منگنز توضیح داده‌اند. این نانوسیم‌ها در دمای بالاتر از ۳۰۰
درجه کلوین خاصیت فرومغناطیسی از خود نشان داده و از نظر قابلیت جابه‌جایی حفره
(۳۴۰ cm2/Vs حدود) و سایر پارامترهای صنعتی مرتبط، کارایی بسیار خوبی از خود
نشان می‌دهند. بدین ترتیب این نانوسیم‌ها می‌توانند به عنوان واحدهای ساختمانی
ابزارهای الکترونیکی مورد استفاده قرار بگیرند.

دکتر اولگا کازاکوف پژوهشگر اصلی این تحقیق می‌گوید: «راه حلی که ما ارائه
نموده‌ایم نه تنها مبتنی بر تغییر ماده، بلکه بر اساس تغییر ساختار ترانزیستور
است. ما به طور عمده روی نانوسیم‌های ژرمانیومی مغناطیسی شده کار کرده‌ایم.
نیمه‌رساناهای مغناطیسی در طبیعت وجود ندارند و باید به صورت مصنوعی ساخته
شوند. ژرمانیوم با سیلیکون سازگار بوده و بدون تغییر در طراحی، می‌توان به
آسانی از آن در قطعات الکترونیکی سیلیکونی موجود استفاده کرد. تا زمان استفاده
عملی از ترانزیستورهای مبتنی بر فناورینانوسیم‌های ژرمانیومی NLP که می‌توانند
ابزارهای محاسباتی و الکترونیکی را متحول سازند، ۱۰ سال زمان نیاز است».