توشیبا فناوری فلش ۳۲ نانومتری را توسعه می‌دهد

شرکت‌های سان‌دیسک و توشیبا اعلام کردند که با همکاری همدیگر توانسته‌اند با استفاده از فناوری فرایند ۳۲ نانومتری، موفق به توسعه‌ی حافظه‌ی فلش نَند (NAND) سلول چند سطحی (MLC) شده، تراشه‌ای با حافظه‌ی سه بیت در هر سلولِ (X3ا) ۳۲ گیگابیتی را تولید کنند. پیش‌بینی می‌شود توسعه‌ی این فناوری پیشرفته و متحول‌کننده، همچنین ورود آن به بازار منجر به افزایش ظرفیت‌ها و کاهش هزینه‌های ساخت برای گستره‌ی وسیعی از محصولات (از کارت‌های حافظه گرفته تا درایوهای حالت جامد (SSD) شود.

شرکت‌های سان‌دیسک و توشیبا اعلام کردند که با همکاری همدیگر توانسته‌اند با
استفاده از فناوری فرایند ۳۲ نانومتری، موفق به توسعه‌ی حافظه‌ی فلش نَند (NAND)
سلول چند سطحی (MLC) شده، تراشه‌ای با حافظه‌ی سه بیت در هر سلولِ (X3ا) ۳۲
گیگابیتی را تولید کنند. پیش‌بینی می‌شود توسعه‌ی این فناوری پیشرفته و متحول‌کننده،
همچنین ورود آن به بازار منجر به افزایش ظرفیت‌ها و کاهش هزینه‌های ساخت برای گستره‌ی
وسیعی از محصولات (از کارت‌های حافظه گرفته تا درایوهای حالت جامد (SSD)) شود.

سانجی مِهروترا (سرمایه‌گذار و رئیس شرکت سان‌دیسک) گفت: «توسعه‌ی نسل سوم
فناوری سه بیت در هر سلول از نوع ۳۲ نانومتری، یک سال و نیم بعد از ورود نسل
اول فناوری سه بیت در هر سلول از نوع ۵۶ نانومتری، نشان‌دهنده‌ی گام سریع و
باور نکردنی در صنعت امروز رایانه است. این پیشرفت به ما اجازه می‌دهد تا با
استفاده از روش‌هایی که هزینه‌های ساخت را کاهش می‌دهند، به ظرفیت‌های بالاتری
دست یابیم.»
این فناوری ایکس‌تری (X3ا)۳۲ گیگابیتی با فرایند ۳۲ نانومتری، کوچک‌ترین حافظه‌ی
فلش نَندی است که تاکنون گزارش شده‌است. این فناوری قابل استفاده در قالب کارت
حافظه میکرواس‌دی (MicroSDTM) ‌ـ به اندازه‌ی ناخن انگشت ـ است و هم‌اکنون
کاربردگسترده‌ای را در گوشی‌های تلفن همراه و دیگر افزاره‌های الکترونیکی قابل
حمل پیدا کرده‌است. استفاده از این فناوری، منجر به ساخت متراکم‌ترین حافظه‌ی
میکرواس‌دی در جهان شده‌است که ظرفیت آن دو برابر ظرفیت یک تراشه‌ی میکرواس‌دی
با فرایند۴۳ نانومتری است؛ در حالی که مساحت آنها با هم برابر است. پیشرفت‌های
ایجادشده در فناوری‌های فرایند ۳۲ نانومتری و در طراحی مدار، منجر به یک حافظه‌ی
۱۱۳ میلی‌متر مربعی شده‌اند.
یورام سدار، مدیر اجرایی و رئیس بخش مهندسی شرکت و واحد کسب‌ و کار OEM در شرکت
سان‌دیسک، گفت: «تراکم باور نکردنی و اندازه‌ی کوچک فناوری ایکس‌تری ۳۲
گیگابیتی با فرایند ۳۲ نانومتری، امکان تولید کارت‌های میکرواس‌دی را فراهم
خواهد کرد که در مقایسه با کارت‌های میکرواس‌دی ساخته‌شده با دیگر فناوری‌ها از
ظرفیت‌های بالاتری برخوردارند. کارت‌های میکرواس‌دی به‌دلیل افزایش تقاضا برای
ذخیره‌ی ظرفیت بالا در گوشی‌های تلفن همراه، محبوبیت رو به افزایشی را پیدا
کرده‌اند. این فناوری ما را قادر می‌کند تا محصولات جدید هیجان‌آوری را برای
این بازار تولید کنیم.
فناوری ۳۲ نانومتری پیشرفته‌ترین فناوری حافظه‌ی فلش تا به امروز بوده و
توانسته به‌منظور مدیریت چالش‌های پیش روی فرایند کوچک‌سازی حافظه‌ها، راه حل‌هایی
را ارائه می‌کند. فناوری ۳۲ نانومتری برای کاهش اندازۀ حافظه با سرعتی بیشتر از
سرعت موردنظر «قانون مور»‌، چندین فناوری ابداعی را با هم ترکیب می‌کند.
پیش‌بینی می‌شود تولیدات فناوری ایکس‌تری ۳۲ گیگابیتی با فرایند۳۲ نانومتری، در
نیمه‌ی ‌دوم سال ۲۰۰۹ شروع شود.
سان‌دیسک و توشیبا مقاله‌ای در زمینه‌ی حافظه فلش نَندی ایکس‌تری ۳۲ گیگابیتی۳۲
نانومتری، در همایش بین‌المللی مدارهای حالت جامد (ISSCC_2009) ارائه کرده‌اند.