رونمایی از SRAM 22 نانومتری ساخته‌‌شده با فناوری EUV

متخصصان شرکت ایمک (IMEC) و شرکای صنعتی آن از تولید نخستین سلول‌های CMOS SRAM
خبر داده‌اند که با استفاده از فناوری لیتوگرافی EUV ساخته‌ شده‌است. ساخت این
سلول‌های جدید با چگالی ۲µm 099/0 و کاهش ۴۷ درصدی مساحت، رکورد جدیدی نسبت به
قطعات مشابه ۳۲ نانومتری مشابه با مساحت ۲µm 186/0 (که سال گذشته به‌وسیله‌ی همین
شرکت تولید شده بود) به شمار می‌‌آید.
این دانشمندان برای الگودهی ساختارهای
مداری فوق‌العاده کوچک این قطعات از پیشرفته‌ترین سیستم‌های رسوب‌‌دهی شرکت Applied
Material بهر برده، با استفاده از ابزار آلفا دمو(ADT) فوق فرابنفش (EUV) نقطه‌ی
تماس و تک‌‌لایه‌ی فلزی چاپی این سلول‌های SRAM 099/0 2µm را ـ که با FinFETها
ساخته می‌‌شوند ـ روی آن ایجاد کردند.
شرکت ایمک در فرایند نهایی تولید این
محصول از بستر FinFET گیت فلزی با ثابت k بالا (high-k/metal-gate FinFET platform)
استفاده نمود. این FinFET شامل دی‌‌‌الکتریکی از ۲HfO و یک گیت فلزی از جنس TiN و
چشمه/گیرنده‌ای از جنس سیلیسید NiPt است. عرض فعال FIN در این حالت حداقل ۹۰
نانومتر است. لایه‌های FinFET این قطعات به‌وسیله‌ی ابزارهای لیتوگرافی ASML’s1900i
و به شیوه‌ی غوطه‌‌وری روی آن چاپ می‌‌شوند، همچنین قبل از پر شدن حفرات تماس با
تنگستن و پرداخت مکانیکی شیمیایی آنها، ابتدا این حفره‌ها با استفاده از
پیشرفته‌ترین روش‌های فراوری Applied Materials (که در سد میان لایه‌ایTi وTiN به
کار می‌‌رود) فلزی می‌‌شوند.
شرکت ایمک بر خلاف روش‌های مربوط به ساخت سلول‌های
۳۲ نانومتری (که حفره‌های تماس تنها با ابزارهای EUV چاپ می‌‌شدند)، هم‌‌اکنون
توانسته‌‌است با استفاده از فناوری الگودهی ASML’s ADT، نقاط تماسی به اندازه‌ی
حدود ۴۵ نانومتر و تک‌‌لایه‌های فلزی به پهنای ۶۰ نانومتر ـ که به فاصله‌ی ۴۶
نانومتر از هم قرار دارند ـ را روی این سلول‌ها ایجاد نماید.
لاک وان هوو (مدیر
اجرایی شرکت ایمک) در این باره می‌‌گوید: «تولید موفقیت‌‌آمیز سلول‌های ۲۲ نانومتری
SRAM به روش EUV، چه به لحاظ توسعه‌ی این سلول‌ها و چه به لحاظ نقشه‌ی راه
لیتوگرافی EUV، دستاورد مهمی برای این شرکت به شمار می‌‌آید و یکپارچه‌سازی
سلول‌های SRAM، نشانگر آن است که فناوری فراوری نوری EUV می‌‌تواند به‌‌خوبی
به‌عنوان یک روش تک‌‌الگودهی مقرون‌‌به‌‌صرفه مطرح شود.»
وی همچنین پیشگامی این
شرکت در تهیه‌ی ابزارهای تحقیقی، در اختیار داشتن پیشرفته‌ترین آنها و نیز
بهره‌گیری از همکاری شرکت‌های متخصص و پیشگام در این زمینه و سرمایه‌گذاری مالی
گروهEC برنامه‌ی PULLNANO را از عوامل اصلی موفقیت این طرح می‌‌داند.
هم‌‌اکنون
شرکت ایمک با همکاری دیگر شرکت‌های پیشگام تولید‌ای سی (IC) کار مشترکی را در
زمینه‌ی نسل آینده‌ی فناوری‌های CMOS آغاز کرده‌‌‌است. برخی از شرکای اصلی ایمک در
سال ۲۰۰۹ عبارتند از: شرکت‌های اینتل (Intel)، مایکرون ( Micrn )، پاناسونیک
(Panasonic)، سامسونگ (Samsung)، TSMC، سونی (Sony)، اس تی (ST)، ایپیدا(lpida)،
هینیکس(Hynix)، پاور چیپ (Powerchip)، اینفینئون(Infineon)، ان‌ ایکس پی (NXP)،
کوالکوم(Qualcomm) و میکروالکترونیک (Microelectronics).