امکان تولید هارد دیسک‌ با خواص مغناطیسی مناسب

پژوهشگران دانشگاه تهران، راه‌کاری برای ساخت هارددیسک‌ها و سخت‌افزارهای ذخیره
اطلاعات با خواص مغناطیسی مطلوب‌ ارائه کردند.

مهندس سامان سالمی‌زاده از جمله این پ‍ژوهشگران است، که در گفتگو با بخش خبری
سایت ستاد ویژه توسعه فناوری نانو گفت: «از لایه‌های نازک مغناطیسی، می‌توان
برای ذخیره اطلاعات، جذب امواج میکروویو و سنسور ابزارهای نانومتری استفاده کرد.
از این میان، لایه‌ نازک هگزافریت باریم با فرمول شیمیایی BaFe12O19 است که یک
ماده مغناطیسی سخت بوده و مهم‌ترین کاربرد آن در لایه‌های نازک به عنوان محیط
ذخیره اطلاعات با دانسیته ذخیره اطلاعات بالاست».

مهندس سالمی‌زاده و همکارانش موفق به تهیه لایه‌های نازک مغناطیسی هگزافریت
باریم نانوساختار به روش سل ژل، با خواص مغناطیسی مناسب برای پوشش‌دهی زیرلایه‌های
Si(110) و Al2O3/Si(110) شده‌اند.

در این پژوهش، میزان pH سل، نوع حلال و عامل بازی سل، نسبت مولی Fe/Ba سل، دمای
کلسیناسیون لایه نازک و اثر لایه میانی Al2O3 به عنوان پارامترهای موثر در به
دست آمدن لایه نازک هگزافریت باریم نانوساختار و تک‌فاز بررسی شده است. همچنین
برای بهبود خواص مغناطیسی لایه نازک در جهت عمود بر سطح، از لایه میانی Al2O3
استفاده گردیده است.

لایه نازک نانوساختار و تک‌فاز هگزافریت باریم تولیدی دارای ضخامت ۱۵۲ نانومتر
و اندازه دانه حدود ۲۰ نانومتر است و خواص مغناطیسی بهتری در مقایسه با سایر
تحقیقات مشابه داشته که این برتری به دلیل ساختار نانومتری این ماده است.

نتایج این کار می‌تواند در تولید سخت‌افزارهای ذخیره اطلاعات (مانند هارد دیسک)
با خواص مغناطیسی مطلوب‌تر استفاده شود.

جزئیات این پژوهش که با همکاری دکتر سیدعلی سیدابراهیمی انجام شده، در مجله
Journal of Non-Crystalline Solids (جلد ۳۵۵، صفحات۹۸۵–۹۸۲، سال ۲۰۰۹) منتشر
شده است.