پژوهشگران دانشگاه اصفهان و دانشگاه صنعتی مالک اشتر، هزینه ساخت نانوذرات مغناطیسی را کاهش دادند.
سنتز مقرون به‌صرفه نانوذرات مغناطیسی
پژوهشگران دانشگاه تربیت مدرس، با بررسی‌های تجربی، روشی را برای بهینه‌سازی گرافن مورد استفاده در صنایع الکترونیک ارایه دادند.
دکتر مراد ابراهیم خاص، پژوهشگر این طرح در گفتگو با بخش خبری سایت ستاد ویژه فناوری نانو گفت: «هدف از انجام این پژوهش، بررسی بیشتر مد اسپینی در گرافن آلایش یافته و غیر آلایشی بوده و عوامل موثر بر این مد برای کنترل و بهینه‌سازی آن در حضور میدان مغناطیسی و آلایش مورد بررسی قرار گرفته‌است».
دانشجوی دکتری فیزیک دانشگاه تربیت مدرس، در مرحله اول به بررسی اندرکنش بین الکترون با مد اسپینی پرداخته و از این طریق با اضافه کردن سهم این اندرکنش به خود انرژی سیستم، اثرات این اندرکنش را در سهم آهنگ واپاشی و نیمه عمر شبه‌ذرات محاسبه نموده‌است. در ادامه به تحلیل و پیش‌بینی مد اسپینی در گرافن آلایش یافته پرداخته و از این طریق، اثرات ناخالصی از جمله ناخالصی مغناطیسی در گرافن آلایشی در حضور میدان خارجی را بررسی کرده‌است.
وی در پایان تاکید کرد: «این پژوهش به طور کلی می‌تواند در فناوری ساخت نانوساختارهای الکترونیکی استفاده شود ولی تا رسیدن به مرحله بهینه‌سازی این اثر، مراحل دیگری نیز باید طی گردد».
جزئیات این پژوهش که با همکاری دکتر سیداکبر جعفری انجام شده، در مجله PHYSICAL REVIEW B (جلد ۷۹، سال ۲۰۰۹) منتشر شده‌است.
