تاثیر میدان مغناطیسی در انتقال حرارت نانوسیال

محققان مرکز علوم و فنون لیزر ایران، به کمک روش‌های عددی، تاثیر میدان مغناطیسی را
بر رفتار حرارتی نانوسیال‌ها بررسی کردند و به نتایج جالبی دست پیدا کردند.

آقای انور گویلی کیلانه، کارشناس ارشد فیزیک، با همکاری خانم مریم‌السادات لاجوردی‏‏‏
و دکتر جمشید صباغ‌زاده، رفتار حرارتی نانوسیال مغناطیسی را تحت تاثیر میدان
مغناطیسی بررسی کرده‌است و نتایج این بررسی را
در مجله‌ی Journal of Computational
and Theoretical Nanoscience (جلد ۷، صفحات ۱۴۳۵- ۱۴۲۵، سال ۲۰۱۰) منتشر نموده‌است.

وی در گفتگو با بخش خبری سایت ستاد ویژه‌ی توسعه‌ی فناوری نانو، مزیت این کار
پژوهشی را نوع میدان مغناطیسی به کار رفته عنوان کرد و افزود: «با این میدان، خواص
نانوسیالات خنک‌‌کننده بهبود می‌یابد و خنک‌سازها می‌توانند با کارایی بیشتری در
محیط فعال لیزر، ماشین‌های با قدرت بالا، صنایع نیروگاهی و … استفاده شوند».

آقای گویلی، برای انجام این کار پژوهشی، ابتدا توزیع میدان مغناطیسی ناشی از پیچه‌های
هلمهولتز را به روش عددی محاسبه و راست‌آزمایی کرده‌است. سپس برای حل معادلات
انتقال حرارت وابسته به زمان، کد عددی مناسبی را به روش الگوریتم (SIMPLEC) نوشته‌است.
در پایان هم با در نظر گرفتن میدان مغناطیسی مورد نظر، شبیه‌سازی انتقال حرارت را
انجام داده‌است.

وی در رابطه با نتایج این تحقیق گفت: «دو قطبی‌های مغناطیسی موجود در نانوسیال
مغناطیسی، تحت تاثیر گرادیان میدان مغناطیسی قرار می‌گیرند. به‌طوری‌که اگر گرادیان
میدان مغناطیسی با همرفت طبیعی نانوسیال هم‌راستا باشد، انتقال حرارت در نانوسیال
بهبود یافته و اگر این دو اثر ترمومغناطیسی در خلاف جهت همدیگر باشند، جلوی انتقال
حرارت در نانوسیال گرفته می‌شود، اما میزان تغییر در دو راستا یکسان نیست و کاهش
انتقال حرارت از میزان افزایش آن بیشتر است».