شرکت Crocus Technology از پیشگامان جهانی در زمینه توسعه و تولید فناوری MRAM (حافظههای با دستیابی تصادفی magnetoresistive)، بهتازگی اعلام کرده است که توافقنامه همکاری در زمینه ساخت کارخانهی تولیدی MRAM، با مجموع سرمایهگذاری ۳۰۰ میلیون دلار به امضا رسانده است.
ساخت کارخانه تولیدی حافظههای فناورینانو در روسیه
شرکت Crocus Technology از پیشگامان جهانی در زمینه توسعه و تولید فناوری MRAM (حافظههای با دستیابی تصادفی magnetoresistive)، بهتازگی اعلام کرده است که توافقنامه همکاری در زمینه ساخت کارخانهی تولیدی MRAM، با مجموع سرمایهگذاری ۳۰۰ میلیون دلار به امضا رسانده است.
براساس این توافقنامه، شرکت Crocus و روسنانو (RUSNANO) با همکاری هم، برای ساخت تسهیلات پیشرفته MRAM در کشور روسیه، شرکت (Crocus Nano Electronics(CNE را تشکیل خواهند داد. این شرکت قادر خواهد بود فناوری MRAM را در مقیاس ۶۵ تا ۹۰ نانومتر تولید کند.
مجموع سرمایهگذاری روسنانو در این پروژه، ۸/۳ میلیارد روبل (حدود ۱۴۰ میلیون دلار) است که حدود ۱۲۵ میلیون دلار آن در مرحله اول تاسیس شرکت CNE\’s MRAM در روسیه، سرمایهگذاری خواهد شد.
همچنین روسنانو بههمراه سرمایهگذاران کنونی Crocus نظیر CDC Innovation, FCPR Ventech Capital, IDInvest Partners, NanoDimension, and Sofinnova Venture، ۵۵ میلیون دلارنیز در قالب سرمایهگذاری در سهام، تامین خواهند کرد.
۱۲۰ میلیون دلار نیز برای افزایش ظرفیت تولید تسهیلات MRAM طی سالهای آتی سرمایهگذاری خواهد شد. همچنین بر اساس توافقنامه، برای ارتقای تولید MRAM در مقیاس ۴۵ نانومتر نیز سرمایهگذاریهای بیشتری انجام خواهد شد.
سرمایهگذاری روسنانو در این پروژه، نشان دهنده تعهد این شرکت به توسعه صنعت فناورینانو در مقیاس جهانی است. به گفته آناتولی چیوبایش، رییس شرکت روسنانو، CNE and Crocus از عناصر مهم راهبردی روسنانو برای ایجاد و توسعه صنعت میکروالکترونیک در کشور روسیه و با اتکا بر فناوریهای پیشرفته دنیا است.