|
یک تیم تحقیقات بین المللی روشی برای تولید آرایه‌های منظم تک بلوری گرافنی ارائه
کردند. برای این کار با استفاده از روش رسوب‌دهی شیمیایی از فاز بخار، آرایه‌های تک
بلوری گرافنی را روی یک فویل مسی درون مخزنی حاوی گاز متان رشد دادند.
پژوهشگران دانشگاه هوستون روشی ارائه کردند که با کمک آن می‌توان آرایه‌های تک
بلوری از گرافن ایجاد کرد. این پروژه می‌تواند مسیر جایگزین سیلیکون توسط گرافن را
هموار کند.
از آرایه‌های تک بلوری گرافن می‌توان مدارات متجمع و ترانزیستورهای جدید با سرعت
بالا تولید کرد. دلیل این امر هدایت الکتریکی بالا و مقاومت کم گرافن بوده که منجر
به کاهش مصرف انرژی در این ماده می‌گردد. با این حال صنعت به‌روشی نیاز دارد که با
آن بتوان تک بلورهای گرافنی را بدون نقص و در حجم بالا تولید کرد.
پژوهشگران یک تیم تحقیقاتی بین المللی از دانه‌هایی برای رشد تک بلورهای گرافنی
استفاده کردند. آنها امیدوارند که صنعت به دستاورد آن توجه کند تا بتوان از آن
ادوات الکترونیکی تولید کرد. آنها معتقدند که هنوز راه درازی برای استفاده از این
روش در صنعت باقی است با این حال این پروژه می‌تواند ساخت ترانزیستور گرافنی و
مدارات متجمع را امکان‌پذیر سازد. این پروژه شاید منجر به تولید اولین فناوری
مدارات متجمع مبتنی بر نانوالکترونیک شود.
در این پروژه با استفاده از روش رسوب‌دهی شیمیایی از فاز بخار، آرایه‌های تک بلوری
گرافنی را روی یک فویل مسی درون مخزنی حاوی گاز متان رشد می‌دهند. این روش که در
سال ۲۰۰۸ توسط یو از دانشگاه هوستون ارائه شده بود در حال حاضر مورد پذیرش
دانشمندان بوده و به‌عنوان یک روش استاندارد تولید فیلم‌های گرافنی شناخته می‌شود.
از این روش می‌توان برای تولید نمایشگرهای لمسی، کتاب‌های الکترونیکی و پیل‌های
خورشیدی استفاده کرد.
یونگ چن، از دانشگاه پوردو، می‌گوید که هنوز نمی‌توان از گرافن در تولید انبوه
محصولات استفاده کرد. اما این پروژه می‌تواند قدم بسیار مهمی در این راه باشد. یونگ
چن رهبر تیم بررسی‌کننده ویژگی‌های گرافن در دانشگاه پوردو است.
سال گذشته، دو دانشمند در رشته فیزیک موفق شدند تا جایزه نوبل را به دلیل اکتشافاتی
درباره گرافن بدست آورند. پژوهشگران به‌دنبال راه‌های تولید انبوه گرافن با کیفیت
بالا هستند.
نتایج این تحقیق در نشریه Nature Materials به چاپ رسیده است. این نتایج ثابت
می‌کند که محققان می‌توانند رشد آرایه‌های منظم گرافنی را کنترل کنند. همچنین
پژوهشگران برای اولین بار توانستند خواص الکترونیکی مرزهای دانه را ثابت کنند.
|
