دستیابی دانشمندان ژاپنی به بالاترین ترارسانایی در نیم رساناهای آلی فیلم نازک

محققان ژاپنی و آلمانی برای نخستین بار موفق شدند مقدار ترارسانایی در
ترانزیستورهای فیلم نازک
(TFT) آلی ۴ ولتی را به ۷۶٫۰ S/m برسانند که بالاترین
ترارسانایی به‌دست آمده تاکنون برای TFTهای آلی ساخته شده به‌روش چاپی است و
امیدوارند که این روش در نهایت به ساخت ترانزیستورهای کوچک کم مصرفی به ابعاد یک
میکرومتر و با سرعت عمل بالا (چند مگاهرتز) منتهی ‌شود

اخیرا استفاده از روشهای کم هزینه‌تری از قبیل به‌کارگیری چاپگرهای جوهر افشان برای
ساخت
ترانزیستورهای فیلم نازک (TFT) آلی بسیار مورد توجه دانشمندان قرار گرفته است.
در همین راستا سومیا (Takao Someya) و همکارانش توانستند با کاهش حجم قطرات خروجی
از نازل جوهر افشان چاپگر به ۰٫۵ فمتولیتر، دمای لازم برای به‌هم چسباندن ذرات
(سینترینگ) را به کمتر از ۹۰ °C رسانده و الکترودهای نقره‌ای را بدون وارد آمدن هیچ آسیبی به
نیم رساناهای آلی، مستقیما روی آنها چاپ کنند. این فرایند در نهایت به ساخت
ترانزیستورهای کوچک کم مصرفی به ابعاد یک میکرومتر و با سرعت عمل بالا (چند مگاهرتز)
منتهی می‌شود.

آنها قصد دارند در ادامه تحقیقات خود نشان دهند که الکترونیک چاپی و آلی به
ابزارهای بزرگ و کند محدود نمی‌شوند بلکه می‌توان درعین حفظ سازگاری آنها با
سیستم‌های تولید کم هزینه روی زیرلایه‌های انعطاف‌پذیر ارزان، مدارهای کوچک و سریع
ساخت. گفتنی است جزئیات کار این محققان طی مقاله‌ای در شماره اول سال ۲۰۱۱ نشریه
MRSCommunications وابسته به انجمن تحقیقات مواد دانشگاه کمبریج به چاپ رسیده است.