پژوهشگران موسسه فناوری جرجیا برای اولین بار جزئیاتی پیرامون روش تصعید کنترل شده محدود را برای تولید لایههای با کیفیت بالا گرافن اپیتاکسیال روی ویفر کاربید سیلیکون منتشر کردند. این روش مبتنی بر کنترل فشار بخار فاز گازی سیلیکون در کورهای با دمای بالا است.
![](https://news.nano.ir/wp-content/uploads/2011/10/65b71649fea14db3a8d5138b3741ded1.jpg)
کنترل تبخیر سیلیکون برای تولید گرافن با کیفیت بالا
پژوهشگران موسسه فناوری جرجیا برای اولین بار جزئیاتی پیرامون روش تصعید کنترل شده اولین شرط رشد لایههای گرافن روی کاربید سیلیکون اعمال گرمایی در حد ۱۵۰۰ درجه برای این کار، والت دی هر و همکارانش ویفر سیلیکونی را درون مخزنی از جنس گرافیت نتایج این تحقیق در Proceedings of the National Academy of Sciences به چاپ رسیده با این دو روش مختلف میتوان گرافنهایی با ویژگیهای متفاوت برای مصارف مختلف
|